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PDF TK11S10N1L Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza TK11S10N1L
Descripción Silicon N-channel MOSFET
Fabricantes Toshiba　
Logotipo Toshiba Logotipo



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No Preview Available ! TK11S10N1L Hoja de datos, Descripción, Manual

MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)
TK11S10N1L
1. Applications
• Automotive
• Motor Drivers
• Switching Voltage Regulators
2. Features
(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 23 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
(2) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 100 V)
(3) Enhancement mode: Vth = 1.5 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)
3. Packaging and Internal Circuit
TK11S10N1L
DPAK+
1: Gate
2: Drain (heatsink)
3: Source
Start of commercial production
2015-07
1 2015-06-08
Rev.1.0

1 page




TK11S10N1L pdf
8. Characteristics Curves (Note)
TK11S10N1L
Fig. 8.1 ID - VDS
Fig. 8.2 ID - VDS
Fig. 8.3 ID - VGS
Fig. 8.4 VDS - VGS
Fig. 8.5 RDS(ON) - ID
Fig. 8.6 RDS(ON) - Ta
5 2015-06-08
Rev.1.0

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
TK11S10N1LSilicon N-channel MOSFETToshiba
Toshiba

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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