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AUIRLI2505 데이터시트 PDF




International Rectifier에서 제조한 전자 부품 AUIRLI2505은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 AUIRLI2505 자료 제공

부품번호 AUIRLI2505 기능
기능 Power MOSFET ( Transistor )
제조업체 International Rectifier
로고 International Rectifier 로고


AUIRLI2505 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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AUIRLI2505 데이터시트, 핀배열, 회로
AUTOMOTIVE GRADE
PD - 97766
Features
l Advanced Planar Technology
l Logic-Level Gate Drive
l Low On-Resistance
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
l Repetitive Avalanche Allowed up to
Tjmax
l Lead-Free, RoHS Compliant
l Automotive Qualified*
Description
Specifically designed for Automotive applications,
this cellular design of HEXFET® Power MOSFETs
utilizes the latest processing techniques to achieve
low on-resistance per silicon area. This benefit
combined with the fast switching speed and rug-
gedized device design that HEXFET power
MOSFETs are well known for, provides the de-
signer with an extremely efficient and reliable de-
vice for use in Automotive and a wide variety of
other applications.
AUIRLI2505
HEXFET® Power MOSFET
V(BR)DSS
55V
RDS(on) max. 8.0m
ID 58A
S
D
G
TO-220AB Full-Pak
AUIRLI2505
G
Gate
D
Drain
S
Source
Absolute Maximum Ratings
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These
are stress ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated in
the specifications is not implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect
device reliability. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured under board mounted and still air
conditions. Ambient temperature (TA) is 25°C, unless otherwise specified.
Parameter
Max.
Units
ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V
ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V
chIDM Pulsed Drain Current
PD @TC = 25°C Power Dissipation
Linear Derating Factor
VGS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
Gate-to-Source Voltage
dhSingle Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)
chAvalanche Current
eRepetitive Avalanche Energy
ehPeak Diode Recovery dv/dt
TJ Operating Junction and
58
41
360
63
0.42
± 16
500
54
6.3
5.0
-55 to + 175
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
TSTG
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case )
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw
Thermal Resistance
Parameter
iRJC
Junction-to-Case
RJA Junction-to-Ambient
y y300
10 lbf in (1.1N m)
Typ.
–––
–––
Max.
2.4
65
°C
Units
°C/W
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/
www.irf.com
1
03/14/12




AUIRLI2505 pdf, 반도체, 판매, 대치품
AUIRLI2505
4 www.irf.com

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AUIRLI2505 전자부품, 판매, 대치품
AUIRLI2505
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