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CEB3060 데이터시트 PDF




CET에서 제조한 전자 부품 CEB3060은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 CEB3060 자료 제공

부품번호 CEB3060 기능
기능 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
제조업체 CET
로고 CET 로고


CEB3060 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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CEB3060 데이터시트, 핀배열, 회로
CEP3060/CEB3060
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
30V, 105A,RDS(ON) = 6m@VGS = 10V.
RDS(ON) = 8m@VGS = 4.5V.
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
Lead free product is acquired.
TO-220 & TO-263 package.
D
G
S
CEB SERIES
TO-263(DD-PAK)
G
D
S
CEP SERIES
TO-220
G
D
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Limit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current-Continuous
Drain Current-Pulsed a
Maximum Power Dissipation @ TC = 25 C
- Derate above 25 C
VDS
VGS
ID
IDM
PD
30
±20
105
420
125
0.83
Operating and Store Temperature Range
TJ,Tstg
-55 to 175
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Symbol
RθJC
RθJA
Limit
1.2
62.5
Units
V
V
A
A
W
W/ C
C
Units
C/W
C/W
Details are subject to change without notice .
1
Rev 2. 2007.Oct
http://www.cet-mos.com




CEB3060 pdf, 반도체, 판매, 대치품
10 VDS=15V
ID=16A
8
6
4
2
0
0 6 12 18 24 30
Qg, Total Gate Charge (nC)
Figure 7. Gate Charge
VDD
VIN RL
D VOUT
VGS
RGEN G
S
CEP3060/CEB3060
103
RDS(ON)Limit
102
100ms
1ms
10ms
DC
101
TC=25 C
TJ=175 C
Single Pulse
100 10-1
100
101
102
VDS, Drain-Source Voltage (V)
Figure 8. Maximum Safe
Operating Area
td(on)
VOUT
t on
tr
td(off)
90%
10% INVERTED
toff
tf
90%
10%
VIN
10%
50%
90%
50%
PULSE WIDTH
Figure 9. Switching Test Circuit
Figure 10. Switching Waveforms
100
D=0.5
0.2
10-1
0.1
0.05
10-2
10-5
0.02
0.01
Single Pulse
10-4
10-3
10-2
10-1
Square Wave Pulse Duration (sec)
PDM
t1
t2
1. R JC (t)=r (t) * R JC
2. R JC=See Datasheet
3. TJM-TC = P* R JC (t)
4. Duty Cycle, D=t1/t2
100
101
Figure 11. Normalized Thermal Transient Impedance Curve
4

4페이지












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