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CEB73A3G 데이터시트 PDF




CET에서 제조한 전자 부품 CEB73A3G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 CEB73A3G 자료 제공

부품번호 CEB73A3G 기능
기능 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
제조업체 CET
로고 CET 로고


CEB73A3G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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CEB73A3G 데이터시트, 핀배열, 회로
CEP73A3G/CEB73A3G
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
PRELIMINARY
FEATURES
30V, 62A, RDS(ON) = 9m@VGS = 10V.
RDS(ON) = 16m@VGS = 4.5V.
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
Lead free product is acquired.
TO-220 & TO-263 package.
D
G
S
CEB SERIES
TO-263(DD-PAK)
G
D
S
CEP SERIES
TO-220
G
D
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Limit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current-Continuous
Drain Current-Pulsed a
Maximum Power Dissipation @ TC = 25 C
- Derate above 25 C
VDS
VGS
ID
IDM
PD
30
±20
62
248
75
0.52
Operating and Store Temperature Range
TJ,Tstg
-55 to 175
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Symbol
RθJC
RθJA
Limit
2
62.5
Units
V
V
A
A
W
W/ C
C
Units
C/W
C/W
Details are subject to change without notice .
1
Rev 1. 2009.June
http://www.cet-mos.com




CEB73A3G pdf, 반도체, 판매, 대치품
CEP73A3G/CEB73A3G
10 VDS=15V
ID=10A
8
6
4
2
0
0 6 12 18 24
Qg, Total Gate Charge (nC)
Figure 7. Gate Charge
VDD
VIN RL
D VOUT
VGS
RGEN G
S
103
RDS(ON)Limit
102
100ms
1ms
10ms
101 DC
TC=25 C
TJ=150 C
100 Single Pulse
10-1 100 101 102
VDS, Drain-Source Voltage (V)
Figure 8. Maximum Safe
Operating Area
td(on)
VOUT
t on
tr
td(off)
90%
10% INVERTED
toff
tf
90%
10%
VIN
10%
50%
90%
50%
PULSE WIDTH
4
Figure 9. Switching Test Circuit
Figure 10. Switching Waveforms
100
D=0.5
10-1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
10-2
10-2
10-1
100 101 102
Square Wave Pulse Duration (msec)
PDM
t1
t2
1. R JC (t)=r (t) * R JC
2. R JC=See Datasheet
3. TJM-TC = P* R JC (t)
4. Duty Cycle, D=t1/t2
103
104
Figure 11. Normalized Thermal Transient Impedance Curve
4 - 97

4페이지












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