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CEB02N6G 데이터시트 PDF




CET에서 제조한 전자 부품 CEB02N6G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 CEB02N6G 자료 제공

부품번호 CEB02N6G 기능
기능 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
제조업체 CET
로고 CET 로고


CEB02N6G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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CEB02N6G 데이터시트, 핀배열, 회로
CEP02N6G/CEB02N6G
CEF02N6G
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
Type
CEP02N6G
CEB02N6G
CEF02N6G
VDSS
600V
600V
600V
RDS(ON)
5
5
5
ID
2.2A
2.2A
2.2A d
@VGS
10V
10V
10V
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
Lead free product is acquired.
D
DG
GS
CEB SERIES
TO-263(DD-PAK)
G
D
S
CEP SERIES
TO-220
G
D
S
CEF SERIES
TO-220F
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current-Continuous @ TC = 25 C
@ TC = 100 C
Drain Current-Pulsed a
Maximum Power Dissipation @ TC = 25 C
- Derate above 25 C
Tc = 25 C unless otherwise noted
Symbol
Limit
TO-220/263
VDS 600
VGS ±30
ID
2.2
1.4
IDM e
8.8
60
PD 0.48
TO-220F
2.2 d
1.4d
8.8 d
33
0.26
Single Pulsed Avalanche Energy g
Single Pulsed Avalanche Current g
Operating and Store Temperature Range
EAS
IAS
TJ,Tstg
11.25
1.5
-55 to 150
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Symbol
RθJC
RθJA
Limit
2.1
62.5
3.8
65
Units
V
V
A
A
A
W
W/ C
mJ
A
C
Units
C/W
C/W
Details are subject to change without notice .
1
Rev 5. 2011.Feb
http://www.cet-mos.com




CEB02N6G pdf, 반도체, 판매, 대치품
CEP02N6G/CEB02N6G
CEF02N6G
10 VDS=480V
ID=1A
8
6
4
2
0
02 4 6 8
Qg, Total Gate Charge (nC)
Figure 7. Gate Charge
VDD
VIN RL
D VOUT
VGS
RGEN G
S
101 RDS(ON)Limit
100
100ms
1ms
10ms
DC
10-1
TC=25 C
TJ=175 C
10-2 Single Pulse
100 101 102 103
VDS, Drain-Source Voltage (V)
Figure 8. Maximum Safe
Operating Area
td(on)
VOUT
t on
tr
td(off)
90%
10% INVERTED
toff
tf
90%
10%
VIN
10%
50%
90%
50%
PULSE WIDTH
Figure 9. Switching Test Circuit
Figure 10. Switching Waveforms
100
10-1
D=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
10-2 Single Pulse
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
Square Wave Pulse Duration (sec)
PDM
t1
t2
1. R JC (t)=r (t) * R JC
2. R JC=See Datasheet
3. TJM-TC = P* R JC (t)
4. Duty Cycle, D=t1/t2
100
101
Figure 11. Normalized Thermal Transient Impedance Curve
4

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다운로드[ CEB02N6G.PDF 데이터시트 ]

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