|
|
|
부품번호 | 3DD6012A6 기능 |
|
|
기능 | Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification | ||
제조업체 | Huajing Microelectronics | ||
로고 | |||
华润华晶分立器件
硅 NPN 低频放大双极型晶体管
○R
3DD6012A6
1 产品概述:
3DD6012A6 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品采用平面工艺, 特征参数
分压环终端结构和少子寿命控制技术,提高了产品的击穿电压、开关速 VCEO
度和可靠性。
产品封装形式:TO-126,符合 RoHS 指令要求。
IC
Ptot(TC=25℃)
2 产品特点:
TO-126
530
1.2
50
● 开关损耗低
● 反向漏电流小
● 高温特性好
● 反向击穿电压高
● 可靠性高
1
2
3
1. B
2. C
3. E
3 主要用途:
主要用于电子充电器、计算机辅助电源等功率开关电路,
是该类电子产品的核心部件。
内部等效原理图
B
C
V
A
W
E
产品中有毒有害物质或元素的名称及含量
有害物质或元素
部件名称
(含量要求)
引线框
塑封树脂
管芯
内引线
焊料
说明
铅
(Pb)
汞
(Hg)
镉 六 价 铬 多溴联苯 多溴二苯醚
(Cd) (Cr(VI)) (PBB) (PBDE)
≤0.1% ≤0.1% ≤0.01% ≤0.1% ≤0.1% ≤0.1%
○○○○○
○
○○○○○
○
○○○○○
○
○○○○○
○
×○○○○
○
○:表示该元素的含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。
×:表示该元素的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
目前产品的焊料中含有铅(Pb)成分,但属于欧盟 RoHS 指令豁免范围。
无锡华润华晶微电子有限公司
第 1 页 共 5 页 2008 版
华润华晶分立器件
○R 3DD6012A6
10VCEsat(V)
1
图 5 VCEsat - IC关系曲线
Ta=125℃
0.1
0.01
0.01
0.1
Ta=25℃
IC/IB=B 5
1 Ic1(A0)
VBEs1at(.V5)
图 6 VBEsat - IC关系曲线
1 Ta=25℃
0.5
0.01
0.1
Ta=125℃
IC/IB=B 5
1 Ic1(A0)
图 7 ts-Ic关系曲线 (UI9600)
ts(μ6s)
5
4
3
2
1
0
0
ts(μs)
Ta=25℃
Ta=25℃
0.2 0.4 Ic0(.A6)
无锡华润华晶微电子有限公司
第4页 共5页
2008 版
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
다운로드 | [ 3DD6012A6.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
3DD6012A1 | Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification | Huajing Microelectronics |
3DD6012A6 | Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification | Huajing Microelectronics |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |