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60R385CP 데이터시트 PDF




Infineon Technologies에서 제조한 전자 부품 60R385CP은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 60R385CP 자료 제공

부품번호 60R385CP 기능
기능 IPD60R385CP
제조업체 Infineon Technologies
로고 Infineon Technologies 로고


60R385CP 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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60R385CP 데이터시트, 핀배열, 회로
CoolMOS® Power Transistor
Features
• Worldwide best R ds,on in TO252
• Ultra low gate charge
• Extreme dv/dt rated
• High peak current capability
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary
V DS @ Tj,max
R DS(on),max
Q g,typ
IPD60R385CP
650 V
0.385
17 nC
PG-TO252
CoolMOS CP is specially designed for:
• Hard switching SMPS topologies
Type
IPD60R385CP
Package
PG-TO252
Ordering Code
SP000307381
Marking
6R385P
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
Pulsed drain current2)
ID
I D,pulse
T C=25 °C
T C=100 °C
T C=25 °C
Avalanche energy, single pulse
Avalanche
energy,
repetitive
t
2),3)
AR
Avalanche
current,
repetitive
t
2),3)
AR
MOSFET dv /dt ruggedness
E AS
E AR
I AR
dv /dt
I D=3.4 A, V DD=50 V
I D=3.4 A, V DD=50 V
V DS=0...480 V
Gate source voltage
V GS static
AC (f >1 Hz)
Power dissipation
Operating and storage temperature
P tot T C=25 °C
T j, T stg
Value
9.0
5.7
27
227
0.3
3
50
±20
±30
83
-55 ... 150
www.DRateavS.he2e.t24U.net
page 1
Unit
A
mJ
A
V/ns
V
W
°C
2009-04-15




60R385CP pdf, 반도체, 판매, 대치품
1 Power dissipation
P tot=f(T C)
100
80
60
40
20
2 Safe operating area
I D=f(V DS); T C=25 °C; D =0
parameter: t p
102
limited by on-state
resistance
101
IPD60R385CP
1 µs
10 µs
100 µs
1 ms
DC
100
10 ms
0
0 40 80 120
T C [°C]
3 Max. transient thermal impedance
Z thJC=f(t P)
parameter: D=t p/T
101
10-1
160 100
101 102
V DS [V]
4 Typ. output characteristics
I D=f(V DS); T j=25 °C
parameter: V GS
25
20 V
8V
10 V
7V
20
100 0.5
0.2
0.1
0.05
10-1 0.02
0.01
single pulse
15
10
5
10-2
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
100
t p [s]
0
0
Rev. 2.2
page 4
6V
5.5 V
5V
4.5 V
5 10 15
V DS [V]
103
20
2009-04-15

4페이지










60R385CP 전자부품, 판매, 대치품
13 Typ. capacitances
C =f(V DS); V GS=0 V; f =1 MHz
14 Typ. Coss stored energy
E oss= f(V DS)
IPD60R385CP
104 6
103 Ciss
5
4
102
Coss
101
100
0
Crss
100 200 300 400 500
V DS [V]
3
2
1
0
0 100 200 300 400 500 600
V DS [V]
Rev. 2.2
page 7
2009-04-15

7페이지


구       성 총 10 페이지수
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