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부품번호 | CEA3252 기능 |
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기능 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | ||
제조업체 | CET | ||
로고 | |||
전체 4 페이지수
CEA3252
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
PRELIMINARY
FEATURES
30V, 5A, RDS(ON) = 32mΩ @VGS = 10V.
RDS(ON) = 45mΩ @VGS = 4.5V.
High dense cell design for extremely low RDS(ON).
Rugged and reliable.
Lead free product is acquired.
SOT-89 package.
D
D
SOT-89
S
D
G
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Limit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
VDS 30
VGS ±20
Drain Current-Continuous
Drain Current-Pulsed a
ID 5
IDM 20
Maximum Power Dissipation
PD 1.25
Operating and Store Temperature Range
TJ,Tstg
-55 to 150
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient b
Symbol
RθJA
Limit
100
Units
V
V
A
A
W
C
Units
C/W
This is preliminary information on a new product in development now .
Details are subject to change without notice .
1
Rev 1. 2006.June
http://www.cet-mos.com
10 VDS=15V
ID=5A
8
6
4
2
0
0 3 6 9 12 15
Qg, Total Gate Charge (nC)
Figure 7. Gate Charge
VDD
VIN RL
D VOUT
VGS
RGEN G
S
CEA3252
102
RDS(ON)Limit
101
100
1ms
10ms
1s
DC
10-1
TA=25 C
TJ=150 C
10-2
Single
10-2
Pulse
10-1
100
101
102
VDS, Drain-Source Voltage (V)
Figure 8. Maximum Safe
Operating Area
td(on)
VOUT
t on
tr
td(off)
90%
10% INVERTED
toff
tf
90%
10%
VIN
10%
50%
90%
50%
PULSE WIDTH
Figure 9. Switching Test Circuit
Figure 10. Switching Waveforms
100
10-1
D=0.5
0.2
0.1
0.05
10-2
0.02
0.01
Single Pulse
10-3
10-4
10-3
10-2
10-1
100
Square Wave Pulse Duration (sec)
PDM
t1
t2
1. R JA (t)=r (t) * R JA
2. R JA=See Datasheet
3. TJM-TA = P* R JA (t)
4. Duty Cycle, D=t1/t2
101
102
Figure 11. Normalized Thermal Transient Impedance Curve
4
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CEA3252 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | CET |
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