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HM12N60F 데이터시트 PDF




H&M Semiconductor에서 제조한 전자 부품 HM12N60F은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 HM12N60F 자료 제공

부품번호 HM12N60F 기능
기능 600V N-Channel MOSFET
제조업체 H&M Semiconductor
로고 H&M Semiconductor 로고


HM12N60F 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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HM12N60F 데이터시트, 핀배열, 회로
HM12N60 / HM12N60F
600V N-Channel MOSFET
General Description
This Power MOSFET is produced using SL semi‘s
advanced planar stripe DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state resistance, provide superior switching
performance, and withstand high energy pulse in the
avalanche and commutation mode. These devices are well
suited for high efficiency switched mode power supplies,
active power factor correction based on half bridge
topology.
Features
• 12.0A, 600V, RDS(on) = 0.65@VGS = 10 V
• Low gate charge ( typical 52nC)
• High ruggedness
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
{D
GDS
TO-220
GD S
TO-220F
◀▲
{G
{S
Absolute Maximum Ratings TC = 25°Cunless otherwise noted
Symbol
Parameter
VDSS
Drain-Source Voltage
ID Drain Current - Continuous (TC = 25°C)
- Continuous (TC = 100°C)
IDM Drain Current - Pulsed
(Note 1)
VGSS
Gate-Source Voltage
EAS Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
EAR Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
dv/dt
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
PD Power Dissipation (TC = 25°C)
- Derate above 25°C
TJ, TSTG
Operating and Storage Temperature Range
TL
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8" from case for 5 seconds
* Drain current limited by maximum junction temperature.
HM12N60
HM12N60F
600
12.0 12.0*
7.4 7.4*
48 48 *
± 30
865
23.1
4.5
231 54
1.85 0.43
-55 to +150
300
Units
V
A
A
A
V
mJ
mJ
V/ns
W
W/°C
°C
°C
Thermal Characteristics
Symbol
RθJC
RθCS
RθJA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
HM12N60
0.54
0.5
62.5
HM12N60F
2.33
--
62.5
Units
°C/W
°C/W
°C/W
Shenzhen H&M Semiconductor Co.Ltd
http//www.hmsemi.com




HM12N60F pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
Figure 9-1. Maximum Safe Operating Area
for HM12N60
Figure 9-2. Maximum Safe Operating Area
for HM12N60F
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
Shenzhen H&M Semiconductor Co.Ltd
http//www.hmsemi.com

4페이지










HM12N60F 전자부품, 판매, 대치품
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
I SD
D riv e r
RG
V GS
+
V DS
_
L
S am e T ype
as D U T
• d v /d t c o n tro lle d b y R G
• IS D c o n tro lle d b y p u ls e p e rio d
V DD
V GS
( D riv e r )
I SD
(DUT )
V DS
(DUT )
D
=
- -G- - a- -t-e- - -P- -u- l-s- e- - -W- - -i -d- t-h- -
G a te P u ls e P e rio d
10V
IFM , B o d y D io d e F o rw a rd C u rre n t
d i/d t
IR M
B o d y D io d e R e v e rs e C u rre n t
B o d y D io d e R e c o v e ry d v /d t
V SD
B o d y D io d e
F o rw a rd V o lta g e D ro p
V DD
Shenzhen H&M Semiconductor Co.Ltd
http//www.hmsemi.com

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