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부품번호 | CEF05N6 기능 |
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기능 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | ||
제조업체 | CET | ||
로고 | |||
CEF05N6
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
PRELIMINARY
FEATURES
650V, 5A, RDS(ON) = 2.4Ω @VGS = 10V.
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
Lead free product is acquired.
TO-220F full-pak for through hole.
D
G
D
S
CEF SERIES
TO-220F
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Limit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current-Continuous
Drain Current-Pulsed a
Maximum Power Dissipation @ TC = 25 C
- Derate above 25 C
VDS
VGS
ID
IDM
PD
650
±30
5
20
35
0.28
Operating and Store Temperature Range
TJ,Tstg
-55 to 150
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Symbol
RθJC
RθJA
Limit
3.6
65
Units
V
V
A
A
W
W/ C
C
Units
C/W
C/W
This is preliminary information on a new product in development now .
Details are subject to change without notice .
1
Rev 3. 2009.Jun.
http://www.cet-mos.com
10 VDS=480V
ID=3A
8
6
4
2
0
0 2 4 6 8 10
Qg, Total Gate Charge (nC)
Figure 7. Gate Charge
VDD
VIN RL
D VOUT
VGS
RGEN G
S
Figure 9. Switching Test Circuit
CEF05N6
102
4
101 RDS(ON)Limit
1ms
100
TC=25 C
TJ=175 C
10-1 Single Pulse
100 101
10ms
100ms
DC
102
103
VDS, Drain-Source Voltage (V)
Figure 8. Maximum Safe
Operating Area
td(on)
VOUT
t on
tr
td(off)
90%
10% INVERTED
toff
tf
90%
10%
VIN
10%
50%
90%
50%
PULSE WIDTH
Figure 10. Switching Waveforms
100
D=0.5
10-1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
10-2
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
Square Wave Pulse Duration (sec)
PDM
t1
t2
1. R JC (t)=r (t) * R JC
2. R JC=See Datasheet
3. TJM-TC = P* R JC (t)
4. Duty Cycle, D=t1/t2
100
101
Figure 11. Normalized Thermal Transient Impedance Curve
4
4페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
CEF05N6 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | CET |
CEF05N65 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | CET |
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