|
|
|
부품번호 | TLP3010 기능 |
|
|
기능 | GaAs IRED & PHOTO-TRIAC PHOTOCOUPLER | ||
제조업체 | Toshiba Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 1 페이지수
TLP3009(S),TLP3010(S),TLP3011(S),TLP3012(S)
TOSHIBA PHOTOCOUPLER GaAs IRED & PHOTO-TRIAC
TLP3009(S),TLP3010(S),TLP3011(S),TLP3012(S)
OFFICE MACHINE
HOUSEHOLD USE EQUIPMENT
TRIAC DRIVER
SOLID STATE RELAY
Unit: mm
The TOSHIBA TLP3009 (S), TLP3010 (S), TLP3011 (S) and TLP3012 (S)
consist of a photo-triac optically coupled to a gallium arsenide infrared
emitting diode in a six lead plastic DIP.
All parameters are tested to the specification of TLP3009, TLP3010,
TLP3011 and TLP3012.
l Peak Off-State Voltage : 250 V (min)
l Trigger LED Current
: 30 mA (max) (TLP3009)
15 mA (max) (TLP3010)
10 mA (max) (TLP3011)
5 mA (max) (TLP3012)
l On-State Current
: 100 mA (max)
l UL Recognized
: UL1577, File No. E67349
l Isolation Voltage
: 5000 Vrms (min)
l SEMKO Approved
: SS EN60065
SS EN60950
SS EN60335
l Option (D4) Type
VDE Approved
: DIN VDE0884 / 06.92
Certificate No. 68329
Maximum Operating Insulation Voltage : 890 Vpk
Highest Permissible Over Voltage
: 8000 Vpk
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 0.39 g
―
―
11-7A9
PIN CONFIGURATION (Top view)
Note: When a VDE0884 approved type is needed, please
designate the ”Option (D4)”
1: ANODE
2: CATHODE
3: N.C.
4: TERMINAL 1
6: TERMINAL 2
Creepage Distance
Clearance
Insulation Thickness
7.62 mm pich
standard type
7.0 mm (min)
7.0 mm (min)
0.5 mm (min)
10.16 mm pich
(LF2) type
8.0 mm (min)
8.0 mm (min)
0.5 mm (min)
1 2001-05-11
| |||
구 성 | 총 1 페이지수 | ||
다운로드 | [ TLP3010.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
TLP3010 | GaAs IRED & PHOTO-TRIAC PHOTOCOUPLER | Toshiba Semiconductor |
TLP3010S | GaAs IRED & PHOTO-TRIAC PHOTOCOUPLER | Toshiba Semiconductor |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |