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HB56D136BW 데이터시트 PDF




Hitachi Semiconductor에서 제조한 전자 부품 HB56D136BW은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 HB56D136BW 자료 제공

부품번호 HB56D136BW 기능
기능 High Density Dynamic RAM Module
제조업체 Hitachi Semiconductor
로고 Hitachi Semiconductor 로고


HB56D136BW 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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HB56D136BW 데이터시트, 핀배열, 회로
HB56D136 Series
1,048,576-word × 36-bit High Density Dynamic RAM Module
ADE-203-209A (Z)
Rev 1.0
Sept. 20, 1994
Description
The HB56D136 is a 1-M × 36-bit dynamic RAM module, mounted 8 pieces of 4 Mbit DRAM
(HM514400CS/CLS) sealed in SOJ package and 2 pieces of 2 Mbit DRAM (HM512200BS/BLS) sealed in
SOJ package. An outline of the HB56D136 is 72-pin single in-line package.
Therefore, the HB56D136 makes high density mounting possible without surface mount technology. The
HB56D136 provides common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted beneath each SOJ.
Features
• 72-pin
— Lead pitch: 1.27 mm
• Single 5 V (±5%) supply
• High speed
— Access time: 60 ns/70 ns/80 ns (max)
• Low power dissipation
— Active mode: 5.46 W/4.94 W/4.41 W (max)
— Standby mode: 105 mW (max)
5.25 mW (max) (L-version)
• Fast page mode capability
• 1,024 refresh cycle: 16 ms
128 ms (L-version)
• 3 variations of refresh
RAS only refresh
CAS-before-RAS refresh
— Hidden refresh
• TTL compatible




HB56D136BW pdf, 반도체, 판매, 대치품
HB56D136 Series
Pin Description
Pin Name
Function
A0 A9
Address input
A0 A9
Refresh address input
DQ0 DQ35 Data-in/data-out
CAS0 CAS3 Column address strobe
RAS0, RAS2 Row address strobe
WE Read/write enable
VCC
VSS
PD1 PD4
Power supply (+5 V)
Ground
Presence detect pin
NC No connection
Presence Detect Pinout
Pin No.
67
68
69
70
Pin Name
PD1
PD2
PD3
PD4
HB56D136
60 ns 70 ns
VSS
VSS
VSS
VSS
NC VSS
NC NC
80 ns
VSS
VSS
NC
VSS
4

4페이지










HB56D136BW 전자부품, 판매, 대치품
HB56D136 Series
DC Characteristics (Ta = 0 to +70°C, VCC = 5 V ± 5%, VSS = 0V)
HB56D136
60 ns
70 ns
80 ns
Parameter
Symbol Min Max Min Max Min Max Unit Test Conditions
Notes
Operating current
Standby current
I CC1
I CC2
1040 940 840 mA RAS, CAS cycling,
tRC = min
20 20 20 mA TTL interface
RAS, CAS = VIH
Dout = High-Z
1, 2
10 10 10 mA CMOS interface
RAS, CAS VCC 0.2 V
Dout = High-Z
Standby current ICC2 1.0 1.0 1.0 mA CMOS interface
4
(L-version)
RAS, CAS = VIH
WE, Add., Din = VIH or VIL
Dout = High-Z
RAS-only
refresh current
ICC3 1040 940 840 mA tRC = min
2
Standby current
I CC5
50 50 50 mA RAS = VIH, CAS = VIL
1
Dout = enable
CAS before RAS
refresh current
I CC6
1040 940 840 mA tRC = min
First page mode ICC7 1000 900 800 mA tPC = min
current
1, 3
Battery backup
ICC10 2.0 2.0 2.0 mA tRC = 125 µs
operating current
tRAS 1 µs
(Standby with
WE = VIH, CAS = VIL
CBR refresh)
Add., Din = VIH or VIL
(L-version)
Dout = High-Z
4
Input leakage current ILI
Output leakage
current
I LO
10 10 10 10 10 10 µA 0 V Vin 7 V
10 10 10 10 10 10 µA 0 V Vout 7 V
Dout = disable
Output high voltage VOH
2.4 VCC 2.4 VCC 2.4 VCC V High Iout = 5 mA
Output low voltage VOL
0 0.4 0 0.4 0 0.4 V Low Iout = 4.2 mA
Notes: 1. ICC depends on output load condition when the device is selected ICC max is specified at the output
open condition.
2. Address can be changed once or less while RAS = VIL.
3. Address can be changed once or less while CAS = VIH.
4. VCC 0.2 V VIH 6.5 V and 0 VIL 0.2 V.
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