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부품번호 | STGD10NC60HD 기능 |
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기능 | very fast IGBT | ||
제조업체 | STMicroelectronics | ||
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전체 19 페이지수
STGB10NC60HD - STGD10NC60HD
STGF10NC60HD - STGP10NC60HD
600 V - 10 A - very fast IGBT
Features
■ Low on-voltage drop (VCE(sat))
■ Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction
susceptibility)
■ Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
Applications
■ High frequency motor controls
■ SMPS and PFC in both hard switch and
resonant topologies
■ Motor drivers
Description
This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™
process resulting in an excellent trade-off
between switching performance and low on-state
behavior.
3
1
D²PAK
2
3
1
DPAK
3
2
1
TO-220FP
3
2
1
TO-220
Figure 1. Internal schematic diagram
Table 1. Device summary
Order codes
Marking
STGB10NC60HDT4
GB10NC60HD
STGD10NC60HDT4
GD10NC60HD
STGF10NC60HD
GF10NC60HD
STGP10NC60HD
GP10NC60HD
Package
D²PAK
DPAK
TO-220FP
TO-220
Packaging
Tape and reel
Tube
December 2008
Rev 5
1/19
www.st.com
19
Electrical characteristics STGB10NC60HD, STGD10NC60HD, STGF10NC60HD, STGP10NC60HD
2 Electrical characteristics
(TCASE = 25 °C unless otherwise specified)
Table 4. Static
Symbol
Parameter
Test conditions
Collector-emitter
V(BR)CES breakdown voltage
(VGE= 0)
IC= 1 mA
VCE(sat)
Collector-emitter saturation VGE = 15 V, IC = 5 A
voltage
VGE = 15 V, IC = 5 A,
TC = 125 °C
VGE(th) Gate threshold voltage
VCE= VGE, IC= 250 µA
ICES
IGES
gfs (1)
Collector cut-off current
(VGE = 0)
Gate-emitter leakage
current (VCE = 0)
VCE = 600 V
VCE = 600 V, TC = 125 °C
VGE = ± 20 V
Forward transconductance VCE = 15 V, IC= 5 A
1. Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %
Table 5.
Symbol
Dynamic
Parameter
Cies
Coes
Cres
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
Qg Total gate charge
Qge Gate-emitter charge
Qgc Gate-collector charge
Test conditions
VCE = 25 V, f = 1 MHz,
VGE = 0
VCE = 390 V, IC = 5 A,
VGE = 15 V
(see Figure 19)
Min. Typ. Max. Unit
600 V
1.9 2.5 V
1.7 V
3.75 5.75 V
150 µA
1 mA
±100 nA
3.5 S
Min. Typ. Max. Unit
365 pF
43 pF
8.3 pF
19.2 nC
4.5 nC
7 nC
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4페이지 STGB10NC60HD, STGD10NC60HD, STGF10NC60HD, STGP10NC60HD Electrical characteristics
2.1 Electrical characteristics (curves)
Figure 2. Output characteristics
Figure 3. Transfer characteristics
Figure 4. Transconductance
Figure 5. Collector-emitter on voltage vs
temperature
Figure 6. Gate charge vs gate-source voltage Figure 7. Capacitance variations
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
STGD10NC60H | N-channel IGBT | STMicroelectronics |
STGD10NC60HD | very fast IGBT | STMicroelectronics |
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