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PDF FB15R06KL4B1 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza FB15R06KL4B1
Descripción IGBT Module
Fabricantes eupec GmbH 
Logotipo eupec GmbH Logotipo



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No Preview Available ! FB15R06KL4B1 Hoja de datos, Descripción, Manual

Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB15R06KL4B1
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Diode Gleichrichter/ diode rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Tvj =25°C
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip
RMS forward current per chip
TC =80°C
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I2t - value
TC =80°C
tP = 10 ms,
tP = 10 ms,
tP = 10 ms,
tP = 10 ms,
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
Transistor Wechselrichter/ transistor inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Tvj =25°C
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
TC =65°C
TC = 25 °C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tP = 1 ms,
TC =65°C
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC = 25°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Wechselrichter/ diode inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
I2t - value
tP = 1 ms
VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C
Transistor Brems-Chopper/ transistor brake-chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Tvj =25°C
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
TC =65 °C
TC = 25 °C
tP = 1 ms,
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC = 25°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
TC =65°C
Diode Brems-Chopper/ diode brake-chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tP = 1 ms
prepared by: Thomas Passe
approved by: R. Keggenhoff
date of publication: 2003-03-26
revision: 2.1
Vorläufig
preliminary
VRRM
IFRMSM
IRMSmax
IFSM
I2t
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
I2t
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
800
58
50
448
358
1000
642
600
15
19
30
60
+/- 20V
15
30
25
600
15
19
30
60
+/- 20V
15
30
V
A
A
A
A
A2s
A2s
V
A
A
A
W
V
A
A
A2s
V
A
A
A
W
V
A
A
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FB15R06KL4B1 pdf
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB15R06KL4B1
Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch)
output characteristic inverter (typical)
30
Tj = 25°C
25 Tj = 125°C
IC = f (VCE)
VGE = 15 V
Vorläufig
preliminary
20
15
10
5
0
0,00 0,50 1,00 1,50 2,00 2,50 3,00 3,50 4,00 4,50 5,00
VCE [V]
Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch)
output characteristic inverter (typical)
30
VGE = 8V
VGE = 9V
25 VGE = 10V
Vge=12V
20 Vge=15V
Vge=20V
15
IC = f (VCE)
Tvj = 125°C
10
5
0
0,00 0,50 1,00 1,50 2,00 2,50 3,00 3,50 4,00 4,50 5,00
VCE [V]
5(12)

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FB15R06KL4B1 arduino
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB15R06KL4B1
Schaltplan/ circuit diagram
Vorläufig
preliminary
Gehäuseabmessungen/ package outlines
Bohrplan /
drilling layout
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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
FB15R06KL4B1IGBT Moduleeupec GmbH
eupec GmbH

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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