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CEH2609 데이터시트 PDF




CET에서 제조한 전자 부품 CEH2609은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 CEH2609 자료 제공

부품번호 CEH2609 기능
기능 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor
제조업체 CET
로고 CET 로고


CEH2609 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 7 페이지수

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CEH2609 데이터시트, 핀배열, 회로
CEH2609
Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)
FEATURES
20V, 3.5A, RDS(ON) = 60m@VGS = 4.5V.
RDS(ON) = 80m@VGS = 2.5V.
-20V, -2.5A, RDS(ON) = 100m@VGS = -4.5V.
RDS(ON) = 145m@VGS = -2.5V.
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
Lead free product is acquired.
Surface mount Package.
4
5
6
3
2
1
TSOP-6
G1(1)
D1(6)
G2(3)
S1(5)
D2(4)
S2(2)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
N-Channel
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current-Continuous
Drain Current-Pulsed a
VDS 20
VGS ±12
ID 3.5
IDM 14
P-Channel
-20
±12
-2.5
10
Maximum Power Dissipation
PD 1.14
Operating and Store Temperature Range
TJ,Tstg
-55 to 150
Units
V
V
A
A
W
C
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient b
Symbol
RθJA
Limit
110
Units
C/W
Details are subject to change without notice .
1
Rev 2. 2013.Mar
http://www.cetsemi.com




CEH2609 pdf, 반도체, 판매, 대치품
N-CHANNEL
10
VGS=4.5,3.5,2.5V
8
6
VGS=2.0V
4
2
VGS=1.5V
0
0123
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Figure 1. Output Characteristics
600
500
400 Ciss
300
200
100 Coss
0 Crss
0 5 10 15 20 25
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Figure 3. Capacitance
1.3
VDS=VGS
1.2 ID=250µA
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
TJ, Junction Temperature( C)
Figure 5. Gate Threshold Variation
with Temperature
4
CEH2609
7.5
25 C
6
4.5
3
TJ=125 C
1.5
-55 C
0
0 1.0 2.0
3.0 4.0 5.0 6.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
1.8
ID=3.5
1.6 VGS=4.5V
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-100 -50 0 50 100 150 200
TJ, Junction Temperature( C)
Figure 4. On-Resistance Variation
with Temperature
VGS=0V
101
100
10-1
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
VSD, Body Diode Forward Voltage (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current

4페이지










CEH2609 전자부품, 판매, 대치품
VDD
RL
VIN
D VOUT
VGS
RGEN G
S
Figure 17. Switching Test Circuit
CEH2609
td(on)
VOUT
t on
tr
td(off)
90%
10% INVERTED
toff
tf
90%
10%
VIN
10%
50%
90%
50%
PULSE WIDTH
Figure 18. Switching Waveforms
2
100
D=0.5
10-1
0.2
0.1
0.05
PDM
t1
t2
0.02
10-2
10-4
Single Pulse
10-3
10-2
10-1
1. R JA (t)=r (t) * R JA
2. R JA=See Datasheet
3. TJM-TA = P* R JA (t)
4. Duty Cycle, D=t1/t2
100 101
Square Wave Pulse Duration (sec)
Figure 19. Normalized Thermal Transient Impedance Curve
102
7

7페이지


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