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LMBT3906LT3G 데이터시트 PDF




Leshan Radio Company에서 제조한 전자 부품 LMBT3906LT3G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 LMBT3906LT3G 자료 제공

부품번호 LMBT3906LT3G 기능
기능 General Purpose Transistor
제조업체 Leshan Radio Company
로고 Leshan Radio Company 로고


LMBT3906LT3G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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LMBT3906LT3G 데이터시트, 핀배열, 회로
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
PNP Silicon
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
LMBT3906LT1G
S-LMBT3906LT1G
ORDERING INFORMATION
Device
Marking
LMBT3906LT1G
S-LMBT3906LT1G
LMBT3906LT3G
S-LMBT3906LT3G
2A
2A
2A
2A
Shipping
3000/Tape & Reel
10000/Tape & Reel
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector–Emitter Voltage
Collector–Base Voltage
Emitter–Base Voltage
Collector Current — Continuous
Symbol
V CEO
V CBO
V EBO
IC
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Total Device Dissipation FR– 5 Board(1)
T A =25 °C
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Total Device Dissipation
Alumina Substrate, (2) T A = 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance Junction to Ambient
Junction and Storage Temperature
Symbol
PD
RθJA
PD
R θJA
T J , T stg
DEVICE MARKING
LMBT3906LT1G = 2A
Value
– 40
– 40
– 5.0
– 200
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
Max Unit
225 mW
1.8 mW/°C
556 °C/W
300 mW
2.4
417
–55 to +150
mW/°C
°C/W
°C
3
1
2
SOT– 23 (TO–236AB)
1
BASE
3
COLLECTOR
2
EMITTER
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 2C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage (3)
(I C = –1.0 mAdc, I B = 0)
Collector–Base Breakdown Voltage
(I C = –10 µAdc, I E = 0)
Emitter–Base Breakdown Voltage
(I E = –10 µAdc, I C = 0)
Base Cutoff Current
(V CE = –30 Vdc, V EB = –3.0 Vdc)
Collector Cutoff Current
(V CE = –30 Vdc, V EB = –3.0 Vdc)
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
V (BR)CEO
V (BR)CBO
V (BR)EBO
I BL
I CEX
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.
3. Pulse Width <300 µs; Duty Cycle <2.0%.
Min
– 40
– 40
– 5.0
Max Unit
Vdc
Vdc
Vdc
nAdc
– 50
nAdc
– 50
Rev.O 1/7




LMBT3906LT3G pdf, 반도체, 판매, 대치품
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
LMBT3906LT1G ;S-LMBT3906LT1G
TYPICAL AUDIO SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
NOISE FIGURE VARIATIONS
(VCE = 5.0 Vdc, TA = 25°C, Bandwidth = 1.0 Hz)
5.0
SOURCE RESISTANCE = 200 W
IC = 1.0 mA
4.0
SOURCE RESISTANCE = 200 W
IC = 0.5 mA
3.0
SOURCE RESISTANCE = 2.0 k
IC = 50 mA
2.0
1.0 SOURCE RESISTANCE = 2.0 k
IC = 100 mA
12
f = 1.0 kHz
10
8
6
4
2
IC = 1.0 mA
IC = 0.5 mA
IC = 50 mA
IC = 100 mA
0
0.1 0.2 0.4
1.0 2.0 4.0 10 20 40
f, FREQUENCY (kHz)
Figure 7.
100
0
0.1 0.2
0.4 1.0 2.0 4.0 10 20
Rg, SOURCE RESISTANCE (k OHMS)
Figure 8.
40
100
300
200
100
70
50
30
0.1
h PARAMETERS
(VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz, TA = 25°C)
100
70
50
30
20
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 9. Current Gain
5.0 7.0 10
10
7
5
0.1
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 10. Output Admittance
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 11. Input Impedance
5.0 7.0 10
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 12. Voltage Feedback Ratio
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LMBT3906LT3G 전자부품, 판매, 대치품
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
LMBT3906LT1G ;S-LMBT3906LT1G
A
L
3
BS
12
VG
C
D
H
K
SOT-23
J
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
DIM
INCHES
MILLIMETERS
MIN MAX MIN MAX
A 0.1102 0.1197 2.80 3.04
B 0.0472 0.0551 1.20 1.40
C 0.0350 0.0440 0.89 1.11
D 0.0150 0.0200 0.37 0.50
G 0.0701 0.0807 1.78 2.04
H 0.0005 0.0040 0.013 0.100
J 0.0034 0.0070 0.085 0.177
K 0.0140 0.0285 0.35 0.69
L 0.0350 0.0401 0.89 1.02
S 0.0830 0.1039 2.10 2.64
V 0.0177 0.0236 0.45 0.60
0.037
0.95
0.035
0.9
0.037
0.95
0.079
2.0
0.031
0.8
inches
mm
Rev.O 7/7

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