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BC857 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BC857은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BC857 자료 제공

부품번호 BC857 기능
기능 PNP general purpose transistors
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BC857 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BC857 데이터시트, 핀배열, 회로
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BC856; BC857; BC858
PNP general purpose transistors
Product data sheet
Supersedes data of 2003 Apr 09
2004 Jan 16




BC857 pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
PNP general purpose transistors
Product data sheet
BC856; BC857; BC858
CHARACTERISTICS
Tamb = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
ICBO collector-base cut-off current
IEBO
hFE
VCEsat
emitter-base cut-off current
DC current gain
BC856
BC857
BC856A; BC857A
BC856B; BC857B; BC858B
BC857C
collector-emitter saturation voltage
VBEsat
base-emitter saturation voltage
VBE base-emitter voltage
Cc collector capacitance
fT transition frequency
F noise figure
Note
1. Pulse test: tp 300 μs; δ ≤ 0.02.
CONDITIONS
MIN.
VCB = 30 V; IE = 0
VCB = 30 V; IE = 0;
Tj = 150 °C
VEB = 5 V; IC = 0
IC = 2 mA; VCE = 5 V
125
125
125
220
420
IC = 10 mA; IB = 0.5 mA
IC = 100 mA; IB = 5 mA;
note 1
IC = 10 mA; IB = 0.5 mA
IC = 100 mA; IB = 5 mA;
note 1
IC = 2 mA; VCE = 5 V
IC = 10 mA; VCE = 5 V
VCB = 10 V; IE = Ie = 0;
f = 1 MHz
600
VCE = 5 V; IC = 10 mA; 100
f = 100 MHz
IC = 200 μA; VCE = 5 V;
RS = 2 kΩ; f = 1 kHz;
B = 200 Hz
TYP.
1
75
250
700
850
650
4.5
2
MAX.
15
4
100
475
800
250
475
800
300
650
750
820
10
UNIT
nA
μA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
pF
MHz
dB
2004 Jan 16
4

4페이지










BC857 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
PNP general purpose transistors
Product data sheet
BC856; BC857; BC858
1000
handbook, halfpage
hFE
800
(1)
MGT719
600
(2)
400
(3)
200
0
102
101
1
10
102
103
IC (mA)
BC857C; VCE = 5 V.
(1) Tamb = 150 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = 55 °C.
Fig.10 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
1200
haVndBbEook, halfpage
(mV)
1000
800
600
(1)
(2)
MGT720
400
(3)
200
0
101
1
10
102
103
IC (mA)
BC857C; VCE = 5 V.
(1) Tamb = 55 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = 150 °C.
Fig.11 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
104
handbook, halfpage
VCEsat
(mV)
103
MGT721
102
(1)
10
101
(3) (2)
1 10
102
103
IC (mA)
BC857C; IC/IB = 20.
(1) Tamb = 150 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = 55 °C.
Fig.12 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1200
hVaBndEbsoaokt , halfpage
(mV)
1000
800
600
400
(1)
(2)
(3)
MGT722
200
0
101
1
10
102
103
IC (mA)
BC857C; IC/IB = 20.
(1) Tamb = 55 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = 150 °C.
Fig.13 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
2004 Jan 16
7

7페이지


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