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부품번호 | BC857 기능 |
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기능 | PNP general purpose transistors | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 10 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BC856; BC857; BC858
PNP general purpose transistors
Product data sheet
Supersedes data of 2003 Apr 09
2004 Jan 16
NXP Semiconductors
PNP general purpose transistors
Product data sheet
BC856; BC857; BC858
CHARACTERISTICS
Tamb = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
ICBO collector-base cut-off current
IEBO
hFE
VCEsat
emitter-base cut-off current
DC current gain
BC856
BC857
BC856A; BC857A
BC856B; BC857B; BC858B
BC857C
collector-emitter saturation voltage
VBEsat
base-emitter saturation voltage
VBE base-emitter voltage
Cc collector capacitance
fT transition frequency
F noise figure
Note
1. Pulse test: tp ≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.
CONDITIONS
MIN.
VCB = −30 V; IE = 0
VCB = −30 V; IE = 0;
Tj = 150 °C
VEB = −5 V; IC = 0
IC = −2 mA; VCE = −5 V
−
−
−
125
125
125
220
420
IC = −10 mA; IB = −0.5 mA −
IC = −100 mA; IB = −5 mA; −
note 1
IC = −10 mA; IB = −0.5 mA −
IC = −100 mA; IB = −5 mA; −
note 1
IC = −2 mA; VCE = −5 V
IC = −10 mA; VCE = −5 V
VCB = −10 V; IE = Ie = 0;
f = 1 MHz
−600
−
−
VCE = −5 V; IC = −10 mA; 100
f = 100 MHz
IC = −200 μA; VCE = −5 V; −
RS = 2 kΩ; f = 1 kHz;
B = 200 Hz
TYP.
−1
−
−
−
−
−
−
−
−75
−250
−700
−850
−650
−
4.5
−
2
MAX.
−15
−4
−100
475
800
250
475
800
−300
−650
−
−
−750
−820
−
−
10
UNIT
nA
μA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
pF
MHz
dB
2004 Jan 16
4
4페이지 NXP Semiconductors
PNP general purpose transistors
Product data sheet
BC856; BC857; BC858
1000
handbook, halfpage
hFE
800
(1)
MGT719
600
(2)
400
(3)
200
0
− 10−2
− 10−1
−1
− 10
− 102
− 103
IC (mA)
BC857C; VCE = −5 V.
(1) Tamb = 150 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = −55 °C.
Fig.10 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
− 1200
haVndBbEook, halfpage
(mV)
− 1000
− 800
− 600
(1)
(2)
MGT720
− 400
(3)
− 200
0
− 10−1
−1
− 10
− 102
− 103
IC (mA)
BC857C; VCE = −5 V.
(1) Tamb = −55 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = 150 °C.
Fig.11 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
− 104
handbook, halfpage
VCEsat
(mV)
− 103
MGT721
− 102
(1)
− 10
− 10−1
(3) (2)
−1 −10
− 102
− 103
IC (mA)
BC857C; IC/IB = 20.
(1) Tamb = 150 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = −55 °C.
Fig.12 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
− 1200
hVaBndEbsoaokt , halfpage
(mV)
− 1000
− 800
− 600
− 400
(1)
(2)
(3)
MGT722
− 200
0
− 10−1
−1
− 10
− 102
− 103
IC (mA)
BC857C; IC/IB = 20.
(1) Tamb = −55 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = 150 °C.
Fig.13 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
2004 Jan 16
7
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