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부품번호 | BC856B 기능 |
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기능 | General Purpose Transistor PNP | ||
제조업체 | SeCoS | ||
로고 | |||
전체 3 페이지수
Elektronische Bauelemente
BC856A, B
BC857A, B, C
BC858A, B, C
FEATURES
A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free
n General Purpose Transistor PNP Type
n Collect current : - 0.1A
n Operating Temp. : -55OC ~ +150 OC
n RoHS compliant product
A
L
3
Top View
12
BS
C OLLE C TOR
3
1
B AS E
3
1
2
V
D
G
C
H
K
2
E MITTE R
SOT-23
Dim Min Max
A 2.800 3.040
B 1.200 1.400
C 0.890 1.110
D 0.370 0.500
G 1.780 2.040
H 0.013 0.100
J 0.085 0.177
K 0.450 0.600
J
L 0.890 1.020
S 2.100 2.500
V 0.450 0.600
All Dimension in mm
ELECTRICAL CHARACTERISTICS˄Tamb=25ć unless otherwise specified˅
Parameter
Symbol Test conditions
MIN
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
BC856
BC857
BC858
BC856
BC857
BC858
VCBO Ic= -10Aˈ I E=0
VCEO Ic= -10 mAˈ IB=0
-80
-50
-30
-65
-45
-30
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Collector cut-off current
BC856
BC857
BC858
BC856
BC857
BC858
VEBO
ICBO
ICEO
IE= -10 Aˈ IC=0
VCB= -70 V ,
VCB= -45 V ,
VCB= -25 V ,
VCE= -60 V ,
VCE= -40 V ,
VCE= -25 V ,
IE=0
IE=0
IE=0
IB=0
IB=0
IB=0
-5
Emitter cut-off current
IEBO V EB= -5 V , IC=0
DC current gain
BC856A,857A,858A
BC856B,857B,858B
BC857C,BC858C
HFE˄1˅
VCE= -5V, IC= -2mA
125
220
420
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat) IC=-100mA, IB= -5 mA
MAX UNIT
V
V
V
-0.1 A
-0.1 A
-0.1
250
475
800
-0.5
A
V
Base-emitter saturation voltage
VBE(sat) IC= -100 mA, IB= -5mA
-1.1
Transition frequency
DEVICE MARKING
VCE= -5 V, IC= -10mA
fT 100
f=100MHz
BC856A=3A; BC856B=3B; BC857A=3E; BC857B=3F; BC857C=3G; BC858A=3J; BC858B=3K; BC858C=3L
V
MHz
http://www.SeCoSGmbH.com
01-Jun-2004 Rev. B
Any changing of specification will not be informed individual
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구 성 | 총 3 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BC856 | PNP Transistor | Multicomp |
BC856 | Silicon PNP transistor | BLUE ROCKET ELECTRONICS |
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