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30H150 데이터시트 PDF




FNK에서 제조한 전자 부품 30H150은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 30H150 자료 제공

부품번호 30H150 기능
기능 N-Channel Enhancement Mode MOSFET
제조업체 FNK
로고 FNK 로고


30H150 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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30H150 데이터시트, 핀배열, 회로
30H150
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Features
30V/150 A
RDS(ON)=4.5m( ) @ VGS=10V
RDS(ON)=6.5m( ) @ VGS=4.5V
Super High Dense Cell Design
Reliable and Rugged
Avalanche Rated
Lead Free and Green Devices Available
(RoHS Compliant)
Applications
Power Management in Desktop Computer or
DC/DC Converters.
D
G
S
N-Channel MOSFET
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Common Ratings (TA=25°C Unless Otherwise Noted)
VDSS
VGSS
TJ
TSTG
IS
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Maximum Junction Temperature
Storage Temperature Range
Diode Continuous Forward Current
IDP 300µs Pulse Drain Current Tested
ID Continuous Drain Current
PD Maximum Power Dissipation
RθJC Thermal Resistance-Junction to Case
RθJA Thermal Resistance-Junction to Ambient
EAS Drain-Source Avalanche Energy, L=0.5mH
Note * Current limited by bond wire.
www.fnk-tech.com
1
TC=25°C
TC=100°C
TC=25°C
TC=100°C
TC=25°C
TC=100°C
Rating
Unit
30
±20
150
-55 to 150
150
200
120
150*
68
50
20
2.5
50
225
V
°C
°C
A
A
A
W
°C/W
°C/W
mJ
0752-7777359




30H150 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Operating Characteristics (Cont.)
Output Characteristics
160
V = 5,6,7,8,9,10V
GS
140
4.5V
120
4V
100
80
3.5V
60
40
3V
20
2.5V
0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
VDS - Drain-Source Voltage (V)
Gate-Source On Resistance
18
I =40A
DS
16
14
12
10
8
6
4
2
0
2 3 4 5 6 7 8 9 10
VGS - Gate - Source Voltage (V)
Drain-Source On Resistance
14
12
10
V =4.5V
GS
8
6 V =10V
GS
4
2
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
ID - Drain Current (A)
Gate Threshold Voltage
1.6
I =250µA
DS
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Tj - Junction Temperature (°C)
www.fnk-tech.com
4
0752-7777359

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