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LMBT3904DW1T1G 데이터시트 PDF




Leshan Radio Company에서 제조한 전자 부품 LMBT3904DW1T1G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 LMBT3904DW1T1G 자료 제공

부품번호 LMBT3904DW1T1G 기능
기능 Dual General Purpose Transistor
제조업체 Leshan Radio Company
로고 Leshan Radio Company 로고


LMBT3904DW1T1G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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LMBT3904DW1T1G 데이터시트, 핀배열, 회로
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Dual General Purpose Transistors
The LMBT3904DW1T1G device is a spin–off of our popular
SOT–23/SOT–323 three–leaded device. It is designed for general
purpose amplifier applications and is housed in the SOT–363
six–leaded surface mount package. By putting two discrete devices
in one package , this device is ideal for low–power surface mount
applications where board space is at a premium.
LMBT3904DW1T1G
S-LMBT3904DW1T1G
FEATURES
1)Low VCE(sat), 0.4 V
2)Simplifies Circuit Design
3)Reduces Board Space
4)Reduces Component Count
5)Available in 8 mm, 7–inch/3,000 Unit Tape and Reel
6)hFE, 100–300
7)We declare that the material of product compliant with
RoHS requirements and Halogen Free.
8) S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101
Qualified and PPAP Capable.
SC-88
DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
Device
Marking
Shipping
LMBT3904DW1T1G
MA
3000/Tape&Reel
LMBT3946DW1T3G
MA
10000/Tape&Reel
MAXIMUM RATINGS(Ta = 25)
Parameter
Collector–Emitter Voltage
Collector–Base Voltage
Emitter–Base Voltage
Collector Current — Continuous
Symbol
VCEO
VCBO
VEBO
IC
Limits
40
60
6.0
200
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Total Device Dissipation,
FR−5 Board (Note 1) @ TA = 25°C
Thermal Resistance,
Junction–to–Ambient(Note 1)
Junction and Storage temperature
PD 150
RΘJA
TJ,Tstg
833
−55+150
mW
/W
1. Device mounted on FR4 glass epoxy printed circuit board using the minimum recommended footprint.
June,2015
Rev.B 1/6




LMBT3904DW1T1G pdf, 반도체, 판매, 대치품
10
1
0
1000
100
10
1
0.1
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
LMBT3904DW1T1GS-LMBT3904DW1T1G
ELRCTRICAL CHARACTERISTICS CURVES
1 10
VR, Reverse Voltage (V)
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0.1
1
IC, Collector Current (mA)
Cobo[pF]
Cibo[pF]
FIG.3 Capacitance
FIG.4 Current Gain
10
VCE=1V
1 10
IC, Collector Current (A)
100
25FIG1350
-55
FIG.5 DC Current Gain
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
0.01
0.1
1
IB, Base Current (mA)
10
IC=1FmAIG4 IC=10mA
IC=30mA
IC=100mA
FIG.6 Collector Saturation Region
June,2015
Rev.B 4/6

4페이지












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