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LMBT3906DW1T1G 데이터시트 PDF




Leshan Radio Company에서 제조한 전자 부품 LMBT3906DW1T1G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 LMBT3906DW1T1G 자료 제공

부품번호 LMBT3906DW1T1G 기능
기능 Dual Bias Resistor Transistors PNP Silicon
제조업체 Leshan Radio Company
로고 Leshan Radio Company 로고


LMBT3906DW1T1G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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LMBT3906DW1T1G 데이터시트, 핀배열, 회로
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Dual Bias Resistor Transistors
PNP Silicon
The LMBT3906DW1T1G device is a spin–off of our popular
SOT–23/SOT–323 three–leaded device. It is designed for general
purpose amplifier applications and is housed in the SOT–363
six–leaded surface mount package. By putting two discrete devices
in one package , this device is ideal for low–power surface mount
applications where board space is at a premium.
FEATURES
1hFE, 100–300
2Low VCE(sat),0.4 V
3Simplifies Circuit Design
4Reduces Board Space
5Reduces Component Count
6We declare that the material of product compliant with
RoHS requirements and Halogen Free.
7S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101
Qualified and PPAP Capable.
LMBT3906DW1T1G
S-LMBT3906DW1T1G
65 4
1
2
3
SOT-363
(3) (2)
(1)
Q1
Q2
(4) (5)
(6)
DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
Device
Marking
Shipping
LMBT3906DW1T1G
A2 3000/Tape&Reel
LMBT3906DW1T3G
A2 10000/Tape&Reel
MAXIMUM RATINGS(Ta = 25)
Parameter
Symbol
Collector–Emitter Voltage
VCEO
Collector–Base Voltage
VCBO
Emitter–Base Voltage
VEBO
Collector Current — Continuous
IC
Limits
–40
–40
–5
–200
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Total Device Dissipation,
PD 150 mW
(Note 1) @ TA = 25°C
Thermal Resistance,
Junction–to–Ambient
RΘJA
833 /W
Junction and Storage
temperature
TJ,Tstg −55+150
1. Device mounted on FR4 glass epoxy printed circuit board using the minimum recommended footprint.
June,2015
Rev.A 1/6




LMBT3906DW1T1G pdf, 반도체, 판매, 대치품
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
LMBT3906DW1T1G,S-LMBT3906DW1T1G
Electrical Characteristics Curves
0.50
0.45 IC/IB=10
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
1.0E-03 1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
IC, Collecotr Current (A)
-55
25
150
1.4
IC/IB=10
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1.0E-04 1.0E-03 1.0E-02 1.0E-01 1.0E+00
IC, Collector Current (A)
-55
25
150
Figure 5. Collector Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current
Figure 6. Base Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current
1.4
VCE=1V
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1.0E-04 1.0E-03 1.0E-02 1.0E-01 1.0E+00
IC, Collector Current (A)
-55
25
150
Figure 7. Base Emitter Voltage vs. Collector Current
June,2015
Rev.A 4/6

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