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NP160N055TUK 데이터시트 PDF




Renesas에서 제조한 전자 부품 NP160N055TUK은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 NP160N055TUK 자료 제공

부품번호 NP160N055TUK 기능
기능 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
제조업체 Renesas
로고 Renesas 로고


NP160N055TUK 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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NP160N055TUK 데이터시트, 핀배열, 회로
Preliminary Data Sheet
NP160N055TUK
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
R07DS0592EJ0100
Rev.1.00
Dec 12, 2011
Description
The NP160N055TUK is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
Features
Super low on-state resistance
RDS(on) = 2.10 mMAX. (VGS = 10 V, ID = 80 A)
Low Ciss: Ciss = 7500 pF TYP. (VDS = 25 V)
Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
Ordering Information
Part No.
NP160N055TUK-E1-AY *1
NP160N055TUK-E2-AY *1
Lead Plating
Pure Sn (Tin)
Packing
Tape 800 p/reel
Taping (E1 type)
Taping (E2 type)
Note: *1 Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode)
Package
TO-263-7pin
(MP-25ZT)
Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C)
Item
Symbol
Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)
VDSS
Gate to Source Voltage (VDS = 0 V)
VGSS
Drain Current (DC) (TC = 25°C)
Drain Current (pulse) *1
ID(DC)
ID(pulse)
Total Power Dissipation (TC = 25°C)
PT1
Total Power Dissipation (TA = 25°C)
PT2
Channel Temperature
Tch
Storage Temperature
Repetitive Avalanche Current *2
Repetitive Avalanche Energy *2
Tstg
IAR
EAR
Notes: *1 TC = 25°C, PW 10 s, Duty Cycle 1%
*2 RG = 25 , VGS = 20 0 V
Ratings
55
20
160
640
250
1.8
175
–55 to 175
51
260
Unit
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
Thermal Resistance
Channel to Case Thermal Resistance
Channel to Ambient Thermal Resistance
Rth(ch-C)
Rth(ch-A)
0.60 °C/W
83.3 °C/W
R07DS0592EJ0100 Rev.1.00
Dec 12, 2011
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NP160N055TUK pdf, 반도체, 판매, 대치품
NP160N055TUK
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
700
600
500
400
300
200
100
0
0
VGS = 10 V
Pulsed
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
VDS - Drain to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
4
3
2
1
0
–100 –50 0
VDS = VGS
ID = 250 μA
50 100 150 200
Tch - Channel Temperature - °C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
5
4
3
2
1
VGS = 10 V
Pulsed
0
1 10 100 1000
ID - Drain Current - A
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
1000
100
10
1
TA = –55°C
25°C
85°C
150°C
175°C
0.1
0.01
0.001
0
VDS = 10 V
Pulsed
123456
VGS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
1000
100
TA = –55°C
25°C
85°C
150°C
175°C
10
VDS = 5 V
Pulsed
1
1 10 100 1000
ID - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
5
4
3
2
1
ID = 80 A
Pulsed
0
0 5 10 15 20
VGS - Gate to Source Voltage - V
R07DS0592EJ0100 Rev.1.00
Dec 12, 2011
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NP160N055TUK 전자부품, 판매, 대치품
Revision History
NP160N055TUK Data Sheet
Rev.
1.00
Date
Dec 12, 2011
Page
— First Edition Issued
Description
Summary
All trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners.
C-1

7페이지


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