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NDS9405 데이터시트 PDF




ETC에서 제조한 전자 부품 NDS9405은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 NDS9405 자료 제공

부품번호 NDS9405 기능
기능 Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
제조업체 ETC
로고 ETC 로고


NDS9405 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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NDS9405 데이터시트, 핀배열, 회로
N
NDS9405
Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
February 1996
General Description
These P-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using National's proprietary, high cell
density, DMOS technology. This very high density process is
been especially tailored to minimize on-state resistance,
provide superior switching performance, and withstand high
energy pulses in the avalanche and commutation modes.
These devices are particularly suited for low voltage
applications such as notebook computer power management
and other battery powered circuits where fast switching, low
in-line power loss, and resistance to transients are needed.
Features
-4.3A, -20V. RDS(ON) = 0.10@ VGS = -10V
High density cell design for extremely low RDS(ON)
High power and current handling capability in a widely used
surface mount package.
____________________________________________________________________________________
54
63
72
81
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter
VDSS
VGSS
ID
PD
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current - Continuous TA = 25°C
- Continuous TA = 70°C
- Pulsed
TA = 25°C
Maximum Power Dissipation
(Note 1a)
(Note 1a)
(Note 1a)
(Note 1b)
(Note 1c)
TJ,TSTG Operating and Storage Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
RθJA
RθJC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
NDS9405
-20
± 20
± 4.3
± 3.3
± 20
2.5
1.2
1
-55 to 150
50
25
Units
V
V
A
W
°C
°C/W
°C/W
NDS9405.SAM




NDS9405 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Electrical Characteristics
-20
VGS = -10V - 6.0- 5.0 - 4.5
-15
- 4.0
-10 - 3.5
-5 - 3.0
0
0 -1 -2 -3 -4
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
-5
3
V GS = -3.5V
2.5
-4.0V
2
-4.5V
1.5 -5.0V
-6.0V
1 -10V
0.5
0
-3 -6 -9 -12
ID , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
-15
1.5
1.4 ID = -4.3A
V GS = -10V
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
-50
-25
0 25 50 75 100
TJ , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
125
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
150
2.5
TJ = 25°C
2
1.5
1
V GS = -4.5V
V GS = -10V
0.5
0
-3 -6 -9 -12
ID , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On-Resistance Variation
with Drain Current.
-15
20
V DS = -10V
TJ = -55°C
25
125
16
12
8
4
0
12345
-VGS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
6
1.1
1.05
1
V DS = V GS
I D = -250µA
0.95
0.9
0.85
0.8
0.75
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
TJ , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 6. Gate Threshold Variation
with Temperature.
NDS9405.SAM

4페이지












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다운로드[ NDS9405.PDF 데이터시트 ]

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