Datasheet.kr   

NP90N055MUK 데이터시트 PDF




Renesas에서 제조한 전자 부품 NP90N055MUK은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 NP90N055MUK 자료 제공

부품번호 NP90N055MUK 기능
기능 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
제조업체 Renesas
로고 Renesas 로고


NP90N055MUK 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 8 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

NP90N055MUK 데이터시트, 핀배열, 회로
Preliminary Data Sheet
NP90N055MUK, NP90N055NUK
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
R07DS0602EJ0100
Rev.1.00
Jan 11, 2012
Description
These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.
Features
Super low on-state resistance
RDS(on) = 3.8 mMAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A)
Low Ciss: Ciss = 4900 pF TYP. (VDS = 25 V)
Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
Ordering Information
Part No.
NP90N055MUK-S18-AY *1
NP90N055NUK-S18-AY *1
Lead Plating
Pure Sn (Tin)
Packing
Tube 50 p/tube
Note: *1 Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode)
Package
TO-220 (MP-25K)
TO-262 (MP-25SK)
Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C)
Item
Symbol
Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)
VDSS
Gate to Source Voltage (VDS = 0 V)
VGSS
Drain Current (DC) (TC = 25°C)
Drain Current (pulse) *1
ID(DC)
ID(pulse)
Total Power Dissipation (TC = 25°C)
PT1
Total Power Dissipation (TA = 25°C)
PT2
Channel Temperature
Tch
Storage Temperature
Repetitive Avalanche Current *2
Repetitive Avalanche Energy *2
Tstg
IAR
EAR
Notes: *1 TC = 25°C, PW 10 s, Duty Cycle 1%
*2 RG = 25 , VGS = 20 0 V
Ratings
55
20
90
360
176
1.8
175
–55 to 175
38
144
Unit
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
Thermal Resistance
Channel to Case Thermal Resistance
Channel to Ambient Thermal Resistance
Rth(ch-C)
Rth(ch-A)
0.85 °C/W
83.3 °C/W
R07DS0602EJ0100 Rev.1.00
Jan 11, 2012
Page 1 of 6




NP90N055MUK pdf, 반도체, 판매, 대치품
NP90N055MUK, NP90N055NUK
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
VGS = 10 V
Pulsed
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
VDS - Drain to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
4
3
2
1
0
–100 –50 0
VDS = VGS
ID = 250 μA
50 100 150 200
Tch - Channel Temperature - °C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
7
6
5
4
3
2
1 VGS = 10 V
Pulsed
0
1 10 100 1000
ID - Drain Current - A
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
100
10
TA = –55°C
25°C
85°C
150°C
1 175°C
0.1
0.01
0.001
0
VDS = 10 V
Pulsed
123456
VGS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
1000
100
TA = –55°C
25°C
85°C
150°C
175°C
10
1
0.1
VDS = 5 V
Pulsed
1 10 100
ID - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
7
6
5
4
3
2
1 ID = 45 A
Pulsed
0
0 5 10 15 20
VGS - Gate to Source Voltage - V
R07DS0602EJ0100 Rev.1.00
Jan 11, 2012
Page 4 of 6

4페이지










NP90N055MUK 전자부품, 판매, 대치품
Revision History
NP90N055MUK, NP90N055NUK Data Sheet
Rev.
1.00
Date
Jan 11, 2012
Page
— First Edition Issued
Description
Summary
All trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners.
C-1

7페이지


구       성 총 8 페이지수
다운로드[ NP90N055MUK.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
NP90N055MUK

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Renesas
Renesas

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵