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AO3702 데이터시트 PDF




Alpha & Omega Semiconductors에서 제조한 전자 부품 AO3702은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 AO3702 자료 제공

부품번호 AO3702 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 Alpha & Omega Semiconductors
로고 Alpha & Omega Semiconductors 로고


AO3702 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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AO3702 데이터시트, 핀배열, 회로
AO3702
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
with Schottky Diode
General Description
The AO3702/L uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON), low gate charge.
A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of
a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion
applications. AO3702 and AO3702L are electrically identical.
-RoHs Complaint
-AO3702L is Halogen Free
Features
VDS (V) = 20V
ID = 3.5A (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 62m(VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 70m(VGS = 2.5V)
RDS(ON) < 85m(VGS = 1.8V)
SCHOTTKY
VDS (V) = 20V, IF = 1A, VF<[email protected]
SOT-23-5
Top View
G 15 D
S2
A 34 K
G
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Drain-Source Voltage
VDS
Gate-Source Voltage
VGS
Continuous Drain Current A
TA=25°C
TA=70°C
ID
Pulsed Drain Current B
IDM
Schottky reverse voltage
VKA
Continuous Forward Current A
TA=25°C
TA=70°C
IF
Pulsed Forward Current B
IFM
Power Dissipation
TA=25°C
TA=70°C
PD
Junction and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
Parameter: Thermal Characteristics MOSFET
Maximum Junction-to-Ambient A
t 10s
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Lead C
Steady-State
Steady-State
Thermal Characteristics Schottky
Maximum Junction-to-Ambient A
t 10s
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Lead C
Steady-State
Steady-State
Symbol
RθJA
RθJL
RθJA
RθJL
DK
SA
MOSFET
20
±8
3.5
2.7
25
1.15
0.7
-55 to 150
Typ
80.3
117
43
153
173
103
Schottky
20
1
0.5
10
0.66
0.42
-55 to 150
Max
110
150
80
190
220
140
Units
V
V
A
V
A
W
°C
Units
°C/W
°C/W
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com




AO3702 pdf, 반도체, 판매, 대치품
AO3702
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
5
4 IVDDIV=DS3D==S.215=.0A12V0AV
400
350
300
3
2 VGS=4.5V, ID=1.8A
1 VGS=2.5V, ID=1.7A
VGS=1.8V, ID=1A
0 VGS=1.5V, ID=1A
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
250
200
150
100
50
0
0
Ciss
Coss
Crss
5 10
VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
15
100.0
10.0
TJ(Max)=150°C
TA=25°C
RDS(ON)
limited
10us
100us
1.0 10s 1ms
DC 10ms
1s
100ms
0.1
0.1 1
10 100
VDS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
20
TJ(Max)=150°C
16 TA=25°C
12
8
4
0
0.001 0.01
0.1
1
10 100 1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note E)
10 D=Ton/T
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA
RθJA=150°C/W
1
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
0.1
0.01
0.00001
0.0001
Single Pulse
PD
Ton T
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
100
1000
Alpha Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com

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