Datasheet.kr   

MDU1516 데이터시트 PDF




MagnaChip에서 제조한 전자 부품 MDU1516은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MDU1516 자료 제공

부품번호 MDU1516 기능
기능 Single N-channel Trench MOSFET
제조업체 MagnaChip
로고 MagnaChip 로고


MDU1516 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 6 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

MDU1516 데이터시트, 핀배열, 회로
MDU1516
Single N-channel Trench MOSFET 30V, 47.6A, 9.0mΩ
General Description
The MDU1516 uses advanced MagnaChips MOSFET
Technology, which provides high performance in on-state
resistance, fast switching performance and excellent
quality. MDU1516 is suitable device for DC/DC Converter
and general purpose applications.
Features
VDS = 30V
ID = 47.6A @VGS = 10V
RDS(ON)
< 9.0 m@VGS = 10V
< 14.0 m@VGS = 4.5V
100% UIL Tested
100% Rg Tested
DD DD
DD DD
D
S SSG
GS SS
PowerDFN56
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25oC)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Characteristics
Continuous Drain Current (1)
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Single Pulse Avalanche Energy (2)
Junction and Storage Temperature Range
TC=25oC
TC=70oC
TA=25oC
TA=70oC
TC=25oC
TC=70oC
TA=25oC
TA=70oC
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (1)
Thermal Resistance, Junction-to-Case
May. 2011. Version 1.2
1
G
S
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDM
PD
EAS
TJ, Tstg
Rating
30
±20
47.6
38.0
18.6(3)
14.9(3)
100
35.7
22.8
5.5(3)
3.5(3)
53.0
-55~150
Unit
V
V
A
A
W
mJ
oC
Symbol
RθJA
RθJC
Rating
22.7
3.5
Unit
oC/W
MagnaChip Semiconductor Ltd.




MDU1516 pdf, 반도체, 판매, 대치품
10
Note : ID = 14A
VDS = 15V
8
6
4
2
0
0 4 8 12
QG, Total Gate Charge [nC]
Fig.7 Gate Charge Characteristics
16
1200
900
Ciss
Ciss = Cgs + Cgd (Cds = shorted)
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
600
300
0
0
Coss
Crss
Notes ;
1. VGS = 0 V
2. f = 1 MHz
5 10 15 20 25
VDS, Drain-Source Voltage [V]
30
Fig.8 Capacitance Characteristics
102
101
100
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
10 ms
100 ms
1s
10s
DC
Single Pulse
10-1
TJ=Max rated
TC=25
10-1
100 101
VDS, Drain-Source Voltage [V]
102
Fig.9 Maximum Safe Operating Area
101
D=0.5
100 0.2
0.1
0.05
10-1 0.02
0.01
10-2
single pulse
Notes :
Duty Factor, D=t1/t2
PEAK TJ = PDM * Zθ JC* Rθ JC(t) + TC
10-3
10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 102 103
t1, Rectangular Pulse Duration [sec]
Fig.11 Transient Thermal Response
Curve
May. 2011. Version 1.2
4
60
50
40
30
20
10
0
25 50 75 100 125 150
TA, Case Temperature []
Fig.10 Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
MagnaChip Semiconductor Ltd.

4페이지












구       성 총 6 페이지수
다운로드[ MDU1516.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
MDU1511

Single N-channel Trench MOSFET

MagnaChip
MagnaChip
MDU1511RH

Single N-channel Trench MOSFET

MagnaChip
MagnaChip

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵