|
|
|
부품번호 | IXGT50N60C2 기능 |
|
|
기능 | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | ||
제조업체 | IXYS | ||
로고 | |||
전체 5 페이지수
HiPerFASTTM
High Speed IGBT
C2-Class
IXGH50N60C2
IXGT50N60C2
VCES = 600V
IC110 = 50A
VCE(sat) 2.7V
tfi(typ) = 48ns
Symbol
VCES
VCGR
VGES
VGEM
IICC12150
ICM
SSOA
(RBSOA)
PC
TJ
TJM
Tstg
TL
TSOLD
Md
Weight
Test Conditions
TJ = 25°C to 150°C
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1M
Continuous
Transient
TTCC
= 25°C (Limited by Leads)
= 110°C
TC = 25°C, 1ms
VGE = 15V, TVJ = 125°C, RG = 10
Clamped Inductive Load
TC = 25°C
Maximum Lead Temperature for Soldering
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s
Mounting Torque
TO-268
TO-247
Maximum Ratings
600 V
600 V
±20 V
±30 V
75 A
50 A
300 A
ICM = 80
@VCE VCES
400
A
W
-55 ... +150
150
-55 ... +150
°C
°C
°C
300 °C
260 °C
1.13/10 Nm/lb.in
4g
6g
Symbol
Test Conditions
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)
BVCES
IC = 250A, VGE = 0V
VGE(th)
IC = 250A, VCE = VGE
ICES VCE = VCES, VGE = 0V
TJ = 125C
IGES VCE = 0V, VGE = 20V
VCE(sat)
IC = 40A, VGE = 15V, Note 1
TJ = 125C
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
600 V
3.0 5.5 V
50 A
1 mA
100 nA
2.7 V
1.8 V
TO-268 (IXGT)
G
E
C (Tab)
TO-247 (IXGH)
GCE
C (Tab)
G = Gate
E = Emitter
C = Collector
Tab = Collector
Features
Very High Frequency IGBT
Square RBSOA
High Current Handling Capability
International Standard Packages
Advantages
High Power Density
Low Gate Drive Requirement
Applications
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
Uninterruptible Power Supplies (UPS)
PFC Circuits
AC Motor Drives
DC Servo & Robot Drives
DC Choppers
© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99147A(02/14)
Fig. 7. Transconductance
70
60 T J = 25ºC
50
125ºC
40
30
20
10
0
0 50 100 150
I C - Amperes
Fig. 9. Dependence of Turn-Off
Energy on Ic
2 RG = 2Ω
RG = 10Ω - - - -
1.6
VGE = 15V
VCE = 480V
1.2
TJ = 125ºC
0.8
0.4
TJ = 25ºC
200
0
20 30 40 50 60 70
I C - Amperes
Fig. 11. Dependence of Turn-Off
Sw itching Tim e on RG
450
td(off)
tfi - - - - - -
350 TJ = 125ºC
VGE = 15V
VCE = 480V
250
80
IC = 40A
IC = 20A
150 IC = 80A
IXGH50N60C2
IXGT50N60C2
Fig. 8. Dependence of Turn-Off
Energy on RG
3.0
IC = 80A
2.4
1.8
TJ = 125ºC
VGE = 15V
1.2 VCE = 480V
IC = 40A
0.6
IC = 20A
0.0
2 4 6 8 10 12 14 16
R G - Ohms
Fig. 10. Dependence of Turn-Off
Energy on Tem perature
2.4
RG = 2Ω
2 RG = 10Ω - - - -
VGE = 15V
1.6 VCE = 480V
IC = 80A
1.2
18
0.8 IC = 40A
0.4
0
25
IC = 20A
50 75 100
TJ - Degrees Centigrade
Fig. 12. Dependence of Turn-Off
Sw itching Tim e on Ic
200
td(off)
tfi - - - - -
160 RG = 2Ω
VGE = 15V
VCE = 480V
TJ = 125ºC
120
125
80 TJ = 25ºC
50
2 4 6 8 10 12 14 16 18
R G - Ohms
40
20 30 40 50 60 70 80
I C - Amperes
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
다운로드 | [ IXGT50N60C2.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
IXGT50N60C2 | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | IXYS |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |