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IXGT50N60C2 데이터시트 PDF




IXYS에서 제조한 전자 부품 IXGT50N60C2은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IXGT50N60C2 자료 제공

부품번호 IXGT50N60C2 기능
기능 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
제조업체 IXYS
로고 IXYS 로고


IXGT50N60C2 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IXGT50N60C2 데이터시트, 핀배열, 회로
HiPerFASTTM
High Speed IGBT
C2-Class
IXGH50N60C2
IXGT50N60C2
VCES = 600V
IC110 = 50A
VCE(sat)  2.7V
tfi(typ) = 48ns
Symbol
VCES
VCGR
VGES
VGEM
IICC12150
ICM
SSOA
(RBSOA)
PC
TJ
TJM
Tstg
TL
TSOLD
Md
Weight
Test Conditions
TJ = 25°C to 150°C
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1M
Continuous
Transient
TTCC
= 25°C (Limited by Leads)
= 110°C
TC = 25°C, 1ms
VGE = 15V, TVJ = 125°C, RG = 10
Clamped Inductive Load
TC = 25°C
Maximum Lead Temperature for Soldering
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s
Mounting Torque
TO-268
TO-247
Maximum Ratings
600 V
600 V
±20 V
±30 V
75 A
50 A
300 A
ICM = 80
@VCE VCES
400
A
W
-55 ... +150
150
-55 ... +150
°C
°C
°C
300 °C
260 °C
1.13/10 Nm/lb.in
4g
6g
Symbol
Test Conditions
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)
BVCES
IC = 250A, VGE = 0V
VGE(th)
IC = 250A, VCE = VGE
ICES VCE = VCES, VGE = 0V
TJ = 125C
IGES VCE = 0V, VGE = 20V
VCE(sat)
IC = 40A, VGE = 15V, Note 1
TJ = 125C
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
600 V
3.0 5.5 V
50 A
1 mA
100 nA
2.7 V
1.8 V
TO-268 (IXGT)
G
E
C (Tab)
TO-247 (IXGH)
GCE
C (Tab)
G = Gate
E = Emitter
C = Collector
Tab = Collector
Features
Very High Frequency IGBT
Square RBSOA
High Current Handling Capability
International Standard Packages
Advantages
High Power Density
Low Gate Drive Requirement
Applications
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
Uninterruptible Power Supplies (UPS)
PFC Circuits
AC Motor Drives
DC Servo & Robot Drives
DC Choppers
© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99147A(02/14)




IXGT50N60C2 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Fig. 7. Transconductance
70
60 T J = 25ºC
50
125ºC
40
30
20
10
0
0 50 100 150
I C - Amperes
Fig. 9. Dependence of Turn-Off
Energy on Ic
2 RG = 2
RG = 10- - - -
1.6
VGE = 15V
VCE = 480V
1.2
TJ = 125ºC
0.8
0.4
TJ = 25ºC
200
0
20 30 40 50 60 70
I C - Amperes
Fig. 11. Dependence of Turn-Off
Sw itching Tim e on RG
450
td(off)
tfi - - - - - -
350 TJ = 125ºC
VGE = 15V
VCE = 480V
250
80
IC = 40A
IC = 20A
150 IC = 80A
IXGH50N60C2
IXGT50N60C2
Fig. 8. Dependence of Turn-Off
Energy on RG
3.0
IC = 80A
2.4
1.8
TJ = 125ºC
VGE = 15V
1.2 VCE = 480V
IC = 40A
0.6
IC = 20A
0.0
2 4 6 8 10 12 14 16
R G - Ohms
Fig. 10. Dependence of Turn-Off
Energy on Tem perature
2.4
RG = 2
2 RG = 10- - - -
VGE = 15V
1.6 VCE = 480V
IC = 80A
1.2
18
0.8 IC = 40A
0.4
0
25
IC = 20A
50 75 100
TJ - Degrees Centigrade
Fig. 12. Dependence of Turn-Off
Sw itching Tim e on Ic
200
td(off)
tfi - - - - -
160 RG = 2
VGE = 15V
VCE = 480V
TJ = 125ºC
120
125
80 TJ = 25ºC
50
2 4 6 8 10 12 14 16 18
R G - Ohms
40
20 30 40 50 60 70 80
I C - Amperes
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

4페이지












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