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IXGH24N170AH1 데이터시트 PDF




IXYS에서 제조한 전자 부품 IXGH24N170AH1은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 IXGH24N170AH1 자료 제공

부품번호 IXGH24N170AH1 기능
기능 High Voltage IGBT
제조업체 IXYS
로고 IXYS 로고


IXGH24N170AH1 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IXGH24N170AH1 데이터시트, 핀배열, 회로
High Voltage
IGBTs w/Diode
Preliminary Technical Information
IXGH24N170AH1
IXGT24N170AH1
VCES =
IC25 =
VCE(sat)
tfi(typ) =
1700V
24A
6.0V
40ns
TO-247 (IXGH)
Symbol
VCES
VCGR
VGES
VGEM
IICC2950
ICM
SSOA
(RBSOA)
tSC
PC
TJ
TJM
Tstg
TL
TSOLD
Md
Weight
Test Conditions
Maximum Ratings
TC = 25°C to 150°C
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ
Continuous
Transient
1700
1700
± 20
± 30
V
V
V
V
TTCC
= 25°C
= 90°C
TC = 25°C, 1ms
24
16
75
VCGlaEm=p1e5dVI,nTdVuJc=tiv1e25L°oCa,dRG = 10Ω
0.I8CM
= 50
VCES
TJ = 125°C, VCE = 1200V, VGE = 15V, RG = 22Ω
10
TC = 25°C
250
-55 ... +150
150
-55 ... +150
A
A
A
A
V
μs
W
°C
°C
°C
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10 seconds
300 °C
260 °C
Mounting Torque (TO-247)
1.13/10
Nm/lb.in.
TO-247
TO-268
6g
4g
Symbol Test Conditions
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)
BVCES
IC = 250μA, VGE = 0V
VGE(th)
IC = 250μA, VCE = VGE
ICES VCE = 0.8 • VCES, VGE = 0V
IGES
VCE(sat)
VCE = 0V, VGE = ± 20V
IC = 16A, VGE = 15V, Note 1
Characteristic Values
Min.
Typ.
Max.
1700
3.0 5.0
V
V
TJ = 125°C
100 μA
1.5 mA
±100 nA
4.5 6.0 V
TJ = 125°C
4.8
V
G
CE
C (TAB)
TO-268 (IXGT)
GE
C (TAB)
G = Gate
E = Emitter
C = Collector
TAB = Collector
Features
z Optimized for Low Conduction and
Switching Losses
z Anti-Parallel Ultra Fast Diode
z International Standard Packages
Advantages
z High Power Density
z Low Gate Drive Requirement
Applications
z Power Inverters
z UPS
z Motor Drives
z SMPS
z PFC Circuits
z Welding Machines
© 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99413A(05/09)




IXGH24N170AH1 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IXGH24N170AH1
IXGT24N170AH1
Fig. 7. Transconductance
36
TJ = - 40ºC
32
28 25ºC
24 125ºC
20
16
12
8
4
0
0 10 20 30 40 50 60 70
IC - Amperes
16
14 VCE = 850V
I C = 24A
12 I G = 10mA
10
Fig. 8. Gate Charge
8
6
4
2
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
QG - NanoCoulombs
10,000
f = 1 MHz
1,000
Fig. 9. Capacitance
Cies
Coes
100
10
0
Cres
5 10 15 20 25 30 35 40
VCE - Volts
Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area
60
50
40
30
20
TJ = 125ºC
10 RG = 10
dV / dt < 10V / ns
0
200 400 600
800 1000 1200
VCE - Volts
1400
1600
1800
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
1.00
0.10
0.01
0.0001
0.001
0.01
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions and Dimensions.
0.1
1 10
IXYS REF: G_24N170(6N)05-07-09

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