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MWI30-06A7 데이터시트 PDF




IXYS에서 제조한 전자 부품 MWI30-06A7은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MWI30-06A7 자료 제공

부품번호 MWI30-06A7 기능
기능 IGBT Module
제조업체 IXYS
로고 IXYS 로고


MWI30-06A7 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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MWI30-06A7 데이터시트, 핀배열, 회로
MWI 30-06 A7
MWI 30-06 A7T
IGBT Modules
Sixpack
Short Circuit SOA Capability
Square RBSOA
13
IC25 = 45 A
VCES
= 600 V
VCE(sat) typ. = 1.9 V
Type:
MWI 30-06 A7
MWI 30-06 A7T
NTC - Option:
without NTC
with NTC
1
2
3
4
17
59
6 10
7 11
8 12
T
16
15
14
NTC
T E72873
See outline drawing for pin arrangement
IGBTs
Symbol
VCES
VGES
IC25
IC80
RBSOA
tSC
(SCSOA)
Ptot
Symbol
VCE(sat)
VGE(th)
ICES
I
GES
td(on)
tr
td(off)
tf
E
on
Eoff
Cies
QGon
RthJC
Conditions
Maximum Ratings
TVJ = 25°C to 150°C
600 V
± 20 V
TC = 25°C
TC = 80°C
45
30
VGE = ±15 V; RG = 33 Ω; TVJ = 125°C
Clamped inductive load; L = 100 µH
ICM = 60
VCEK VCES
VCE = VCES; VGE = ±15 V; RG = 33 Ω; TVJ = 125°C
non-repetitive
10
A
A
A
µs
TC = 25°C
140 W
Conditions
Characteristic Values
(T
VJ
=
25°C,
unless
otherwise
specified)
min. typ. max.
IC = 30 A; VGE = 15 V; TVJ = 25°C
TVJ = 125°C
IC = 0.7 mA; VGE = VCE
VCE = VCES; VGE = 0 V; TVJ = 25°C
TVJ = 125°C
V = 0 V; V = ± 20 V
CE GE
Inductive load, TVJ = 125°C
VCE = 300 V; IC = 30 A
VGE = ±15 V; RG = 33 Ω
1.9 2.4 V
2.2 V
4.5 6.5 V
0.6 mA
0.5 mA
200 nA
50 ns
50 ns
270 ns
40 ns
1.4 mJ
1.0 mJ
VCE = 25 V; VGE = 0 V; f = 1 MHz
VCE = 300V; VGE = 15 V; IC = 30 A
(per IGBT)
1600
150
pF
nC
0.88 K/W
Features
NPT IGBT technology
low saturation voltage
low switching losses
switching frequency up to 30 kHz
square RBSOA, no latch up
high short circuit capability
positive temperature coefficient for
easy parallelling
MOS input, voltage controlled
ultra fast free wheeling diodes
solderable pins for PCB mounting
package with copper base plate
Advantages
space savings
reduced protection circuits
package designed for wave soldering
Typical Applications
AC motor control
AC servo and robot drives
power supplies
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
© 2007 IXYS All rights reserved
20070912a
1-4




MWI30-06A7 pdf, 반도체, 판매, 대치품
8
VCE = 300V
mJ VGE = ±15V
6 RG = 33Ω
Eon TVJ = 125°C
4
80
ns
tr
60
td(on)
t
Eon 40
2 20
00
0 20 40 60 A
IC
Fig. 7 Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
4
VCE = 300V
mJ VGE = ±15V
Eon
3
IC = 30A
TVJ = 125°C
2
1
td(on)
80
ns
tr 60 t
Eon
40
0
0 10
Fig. 9
20
20 30 40 50 60 70 Ω 80
RG
Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
80
A
ICM 60
40
20
RG = 33 Ω
TVJ = 125°C
0
0 100 200 300 400 500 600 700 V
VCE
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
RBSOA
MWI 30-06 A7
MWI 30-06 A7T
2.0
mJ
Eoff 1.5
1.0
VCE = 300V
VGE = ±15V
RG = 33Ω
TVJ = 125°C
400
Eoff
ns
td(off)
300
t
200
0.5 100
0.0
0
tf
0
20 40 60 A
IC
Fig. 8 Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
2.0
mJ
Eoff 1.5
VCE = 300V
VGE = ±15V
IC = 30A
TVJ = 125°C
td(off)
400
ns
300
t
1.0
Eoff
200
0.5 100
0.0
0
tf
0
10 20 30 40 50 60 70 Ω 80
RG
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
10
K/W
1
ZthJC
0.1
diode
IGBT
0.01
0.001
single pulse
0.0001
0.00001 0.0001 0.001 0.01
0.1
t
MWI3006A7
1 s 10
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
© 2007 IXYS All rights reserved
20070912a
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