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MWI50-06A7T 데이터시트 PDF




IXYS에서 제조한 전자 부품 MWI50-06A7T은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MWI50-06A7T 자료 제공

부품번호 MWI50-06A7T 기능
기능 IGBT Module
제조업체 IXYS
로고 IXYS 로고


MWI50-06A7T 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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MWI50-06A7T 데이터시트, 핀배열, 회로
MWI 50-06 A7
MWI 50-06 A7T
IGBT Modules
Sixpack
Short Circuit SOA Capability
Square RBSOA
Type:
MWI 50-06 A7
MWI 50-06 A7T
NTC - Option:
without NTC
with NTC
13
1
2
3
4
17
IC25 = 72 A
V
CES
= 600 V
VCE(sat) typ. = 1.9 V
59
6 10
7 11
8 12
T
16
15
14
NTC
T E72873
See outline drawing for pin arrangement
IGBTs
Symbol
VCES
VGES
IC25
IC80
RBSOA
t
SC
(SCSOA)
Ptot
Symbol
VCE(sat)
V
GE(th)
ICES
IGES
t
d(on)
tr
td(off)
tf
Eon
Eoff
Cies
QGon
R
thJC
Conditions
Maximum Ratings
TVJ = 25°C to 150°C
600 V
± 20 V
TC = 25°C
TC = 80°C
72
50
VGE = ±15 V; RG = 22 Ω; TVJ = 125°C
Clamped inductive load; L = 100 µH
ICM = 100
VCEK VCES
V
CE
=
V;
CES
VGE
=
±15
V;
R
G
=
22
Ω;
TVJ
=
125°C
non-repetitive
10
A
A
A
µs
TC = 25°C
225 W
Conditions
Characteristic Values
(TVJ = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
IC = 50 A; VGE = 15 V; TVJ = 25°C
TVJ = 125°C
I = 1 mA; V = V
C GE CE
VCE = VCES; VGE = 0 V; TVJ = 25°C
TVJ = 125°C
VCE = 0 V; VGE = ± 20 V
Inductive load, TVJ = 125°C
VCE = 300 V; IC = 50 A
VGE = ±15 V; RG = 22 Ω
1.9 2.4 V
2.2 V
4.5 6.5 V
0.6 mA
0.7 mA
200 nA
50 ns
60 ns
300 ns
30 ns
2.3 mJ
1.7 mJ
VCE = 25 V; VGE = 0 V; f = 1 MHz
VCE = 300V; VGE = 15 V; IC = 50 A
(per IGBT)
2800
120
pF
nC
0.55 K/W
Features
NPT IGBT technology
low saturation voltage
low switching losses
switching frequency up to 30 kHz
square RBSOA, no latch up
high short circuit capability
positive temperature coefficient for
easy parallelling
MOS input, voltage controlled
ultra fast free wheeling diodes
solderable pins for PCB mounting
package with copper base plate
Advantages
space savings
reduced protection circuits
package designed for wave soldering
Typical Applications
AC motor control
AC servo and robot drives
power supplies
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
© 2007 IXYS All rights reserved
20070912a
1-4




MWI50-06A7T pdf, 반도체, 판매, 대치품
10.0
mJ
td(on)
100
ns
7.5
Eon
5.0
2.5
Eon
0.0
0
40
75
t
tr
VCE = 300V
VGE = ±15V
RG = 22Ω
TVJ = 125°C
50
25
0
80 A 120
IC
Fig. 7 Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
4
mJ
Eon
3
2
td(on)
80
ns
Eon
60 t
tr
VCE = 300V
VGE = ±15V
IC = 50A
TVJ = 125°C
40
1 20
0 10 20 30 40 50 Ω 60
RG
Fig. 9 Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
120
A
ICM 90
60
30
RG = 22 Ω
TVJ = 125°C
0
0 100 200 300 400 500 600 700 V
VCE
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
RBSOA
MWI 50-06 A7
MWI 50-06 A7T
4 400
mJ
Eoff 3
2
1
Eoff
td(off)
VCE = 300V
VGE = ±15V
RG = 22Ω
TVJ = 125°C
ns
300
t
200
100
tf
00
0 40 80 A 120
IC
Fig. 8 Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
3
mJ
Eoff
2
1
600
Eoff
td(off)
VCE = 300V
VGE = ±15V
IC = 50A
TVJ = 125°C
ns
400 t
200
0 tf 0
0 10 20 30 40 50 Ω 60
RG
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
10
K/W
1
ZthJC
0.1
diode
IGBT
0.01
0.001
single pulse
0.0001
0.00001 0.0001 0.001 0.01
0.1
t
MWI5006A7
1 s 10
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
© 2007 IXYS All rights reserved
20070912a
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