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부품번호 | MIO1500-25E10 기능 |
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기능 | IGBT Module | ||
제조업체 | IXYS | ||
로고 | |||
전체 3 페이지수
Advanced Technical Information
MIO 1500-25E10
IGBT Module
Single switch
Short Circuit SOA Capability
Square RBSOA
IC80 = 1500 A
VCES
= 2500 V
VCE(sat) typ. = 2.7 V
CC C
C'
G
E'
EE
E
IGBT
Symbol
VCES
VGES
IC80
ICM
tSC
Conditions
VGE = 0 V
TC = 80°C
tp = 1 ms; TC = 80°C
VCC = 1700 V; VCEM CHIP = < 2500 V;
VGE < 15 V; TVJ < 125°C
Maximum Ratings
2500
V
± 20 V
1500
A
3000
A
10 µs
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(TVJ = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
VCE(sat) ①
IC = 1500 A; VGE = 15 V; TVJ = 25°C
TVJ = 125°C
VGE(th)
IC = 240 mA; VCE = VGE
ICES VCE = 2500 V; VGE = 0 V; TVJ = 125°C
IGES VCE = 0 V; VGE = ± 20 V; TVJ = 125°C
Eon Inductive load; TVJ = 125°C; VGE = ±15 V;
Eoff VCC = 1200V; IC = 1500A; RG = 1.5Ω; Lσ = 100nH
RthJC
① Collector emitter saturation voltage is given at chip level
2.7 V
3.3 V
6 7.5 V
100 mA
500 nA
1400
1450
mJ
mJ
0.008 K/W
Features
• NPT³ IGBT
- Low-loss
- Smooth switching waveforms for
good EMC
• Industry standard package
- High power density
- AISiC base-plate for high power
cycling capacity
- AIN substrate for low thermal resistance
Typical Applications
• AC power converters for
- industrial drives
- windmills
- traction
• LASER pulse generator
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
© 2004 IXYS All rights reserved
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
MIO1500-25E10 | IGBT Module | IXYS |
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