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IXDR35N60BD1 데이터시트 PDF




IXYS에서 제조한 전자 부품 IXDR35N60BD1은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IXDR35N60BD1 자료 제공

부품번호 IXDR35N60BD1 기능
기능 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
제조업체 IXYS
로고 IXYS 로고


IXDR35N60BD1 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IXDR35N60BD1 데이터시트, 핀배열, 회로
IXDR 35N60 BD1
IGBT
with optional Diode
High Speed,
Low Saturation Voltage
VCES = 600 V
IC25 = 38 A
V =CE(sat) typ 2.2 V
C ISOPLUS 247TM
G
E
G
C
E
Isolated back surface
G = Gate,
C = Collector ,
E = Emitter
TAB = Collector
Symbol
VCES
VCGR
VGES
VGEM
IC25
IC90
ICM
RBSOA
tSC
(SCSOA)
PC
TJ
Tstg
VISOL
FC
Weight
Symbol
V
(BR)CES
VGE(th)
ICES
I
GES
VCE(sat)
Conditions
TJ = 25°C to 150°C
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 20 kΩ
Continuous
Transient
TC = 25°C
TC = 90°C
TC = 90°C, tp =1 ms
VGE= ±15 V, TJ = 125°C, RG = 10 Ω
Clamped inductive load, L = 30 µH
VGE= ±15 V, VCE = 600 V, TJ = 125°C
RG = 10 Ω, non repetitive
TC = 25°C
IGBT
Diode
50/60 Hz RMS; IISOL 1 mA
mounting force with clip
typical
Maximum Ratings
600 V
600 V
±20 V
±30 V
38 A
24 A
48 A
ICM = 110
VCEK < VCES
10
A
µs
125
50
-55 ... +150
-55 ... +150
2500
20...120
6
W
W
°C
°C
V~
N
g
Conditions
V =0V
GE
IC = 0.7 mA, VCE = VGE
VCE = VCES
V = 0 V, V = ± 20 V
CE GE
IC = 35 A, VGE = 15 V
Characteristic Values
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
600 V
3 5V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0.1 mA
1 mA
± 500 nA
2.2 2.7 V
Features
NPT IGBT technology
low switching losses
low tail current
no latch up
short circuit capability
positive temperature coefficient for
easy paralleling
MOS input, voltage controlled
optional ultra fast diode
Epoxy meets UL 94V-0
Isolated and UL registered E153432
Advantages
DCB Isolated mounting tab
Meets TO-247AD package Outline
Package for clip or spring mounting
Space savings
High power density
Typical Applications
AC motor speed control
DC servo and robot drives
DC choppers
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions
© 2006 IXYS All rights reserved
1-4




IXDR35N60BD1 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IXDR 35N60 BD1
4
mJ
Eon 3
VCE = 300V
VGE = ±15V
RG = 10Ω
TJ = 125°C
2
1
td(on)
Eon
tr
80
ns
60
t
40
20
00
10 20 30 40 50 60 A
IC
Fig. 7 Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
2.0
mJ
Eon 1.5
1.0
td(on)
Eon
tr
60
ns
45
t
30
0.5
0.0
05
Fig. 9
VCE = 300V
VGE = ±15V 15
IC = 35A
TJ = 125°C
0
10 15 20 25 30 35 Ω 40
RG
Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
120
A
100
ICM 80
60
40
20
RG = 10Ω
TJ = 125°C
0
0 100 200 300 400 500 600 700 V
VCE
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
RBSOA
2.0
mJ
Eoff 1.5
1.0
0.5
td(off)
Eoff
tf
400
ns
300
t
VCE = 300V
VGE = ±15V
RG = 10Ω
TJ = 125°C
200
100
0.0 0
10 20 30 40 50 60
IC A
Fig. 8 Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
2.0
mJ
Eoff 1.5
VCE = 300V
VGE = ±15V
IC = 35A
TJ = 125°C
1.0
800
td(off)
ns
600
t
Eoff
400
0.5 200
tf
0.0 0
0 5 10 15 20 25 30 35 Ω 40
RG
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
10
K/W
1
ZthJC
0.1
0.01
single pulse
diode
IGBT
0.001
0.0001
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
t
IXDR30N60BD1
100 s 101
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
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