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HAF1008L 데이터시트 PDF




Renesas에서 제조한 전자 부품 HAF1008L은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 HAF1008L 자료 제공

부품번호 HAF1008L 기능
기능 Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching
제조업체 Renesas
로고 Renesas 로고


HAF1008L 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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HAF1008L 데이터시트, 핀배열, 회로
HAF1008(L), HAF1008(S)
Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching
REJ03G0027-0100Z
Rev.1.00
May.13.2003
Description
This FET has the over temperature shut–down capability sensing to the junction temperature. This FET has
the built–in over temperature shut–down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut–down
the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current
etc.
Features
Logic level operation (-4 to -6 V Gate drive)
High endurance capability against to the short circuit
Built–in the over temperature shut–down circuit
Latch type shut–down operation (Need 0 voltage recovery)
Outline
LDPAK
D
G Gate resistor
Tempe-
rature
Sencing
Circuit
Latch
Circuit
Gate
Shut-
down
Circuit
S
1
2
3
1
2
3
1. Gate
2. Drain
(Flange)
3. Source
Rev.1.00, May.13.2003, page 1 of 11




HAF1008L pdf, 반도체, 판매, 대치품
HAF1008(L), HAF1008(S)
Main Characteristics
Power vs. Temperature Derating
80
60
40
20
0 50 100 150 200
Case Temperature Tc (°C)
-500
-200
-100
Maximum Safe Operation Area
Thermal shut down
operation area
-50
-20
-10
-5
-2
-1
Operation
in this area
is limited by
DC OperaPtioWn
RDS(on)
100
1 ms
µs
=(T1c0=m2s5°C)
-0.5 Ta = 25°C
-0.3
-0.5 -1 -2 -5 -10 -20 -50 -100
Drain to Source Voltage VDS (V)
Typical Output Characteristics
-50
-10 V
-40
-8 V
-6 V
-30 -5 V
-4 V
-20
VGS = -3.5 V
-10
Pulse Test
0 -2 -4 -6 -8 -10
Drain to Source Voltage VDS (V)
Typical Transfer Characteristics
-20
-16
-12
-8
Tc = -25°C
-4 25°C
75°C
V DS = -10 V
Pulse Test
0 -1 -2 -3 -4 -5
Gate to Source Voltage VGS (V)
Rev.1.00, May.13.2003, page 4 of 11

4페이지










HAF1008L 전자부품, 판매, 대치품
HAF1008(L), HAF1008(S)
Gate to Source Voltage vs.
Shutdown Time of Load-Short Test
-20
Shutdown Case Temperature vs.
Gate to Source Voltage
200
-15
-10
V DD= -24 V
-5
-16 V
0
100 µ
1m
10 m
Shutdown Time of Load-Short Test
Pw (S)
180
160
140
120 I D = -5 A
100
0 -2 -4 -6 -8 -10
Gate to Source Voltage VGS (V)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
D=1
1
0.5
Tc = 25°C
0.3 0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.03
0.01
1shot
pulse
0.01
10 µ
100 µ
θch - c(t) = γs (t) θch - c
θch - c = 2.50°C/W, Tc = 25°C
PDM
PW
T
D=
PW
T
1m
10 m
100 m
Pulse Width PW (S)
1
10
Rev.1.00, May.13.2003, page 7 of 11

7페이지


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