Datasheet.kr   

QS6J11 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 QS6J11은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 QS6J11 자료 제공

부품번호 QS6J11 기능
기능 Dual Pch -12V -2.0A Power MOSFET
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


QS6J11 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 12 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

QS6J11 데이터시트, 핀배열, 회로
QS6J11
Dual Pch -12V -2.0A Power MOSFET
VDSS
RDS(on) (Max.)
ID
PD
-12V
105mW
-2A
1.25W
lFeatures
1) Low on - resistance.
2) Built-in G-S Protection Diode.
3) Small Surface Mount Package (TSMT6).
4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
lOutline
TSMT6
(6)
(5)
(4)
(1)
(2)
(3)
lInner circuit
(1) Tr1 Gate
(2) Tr2 Source
(3) Tr2 Gate
(4) Tr2 Drain
(5) Tr1 Source
(6) Tr1 Drain
*1 ESD PROTECTION DIODE
*2 BODY DIODE
Datasheet
lPackaging specifications
Packaging
lApplication
DC/DC converters
Reel size (mm)
Tape width (mm)
Type
Basic ordering unit (pcs)
Taping code
Marking
lAbsolute maximum ratings(Ta = 25°C) <It is the same ratings for the Tr1 and Tr2>
Parameter
Symbol
Value
Drain - Source voltage
Continuous drain current
Pulsed drain current
Gate - Source voltage
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
VDSS
ID *1
ID,pulse *2
VGSS
PD *3
PD *4
Tj
Tstg
-12
2
8
10
1.25
0.6
150
-55 to +150
Taping
180
8
3,000
TR
J11
Unit
V
A
A
V
W
W
°C
°C
www.rohm.com
© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/11
2012.06 - Rev.B




QS6J11 pdf, 반도체, 판매, 대치품
QS6J11
lElectrical characteristic curves
Data Sheet
Fig.1 Power Dissipation Derating Curve
120
100
80
60
40
20
0
0 50 100 150 200
Junction Temperature : Tj [°C]
Fig.2 Maximum Safe Operating Area
10
PW = 100ms
PW = 1ms
1
PW = 10ms
Operation in this area
is limited by RDS(on)
0.1 ( VGS = -4.5V )
Ta= 25ºC
Single Pulse
Mounted on a ceramic board.
(30mm × 30mm × 0.8mm)
0.01
0.1 1
DC Operation
10 100
Drain - Source Voltage : -VDS [V]
Fig.3 Normalized Transient Thermal
Resistance vs. Pulse Width
10
Ta=25ºC
Single Pulse
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
top D=1
D=0.5
D=0.1
D=0.05
D=0.01
bottom Signle
Rth(ch-a)=100ºC/W
Rth(ch-a)(t)=r(t)×Rth(ch-a)
Mounted on ceramic board
(30mm × 30mm × 0.8mm)
0.01 1 100
Pulse Width : PW [s]
Fig.4 Single Pulse Maxmum
Power dissipation
1000
Ta= 25ºC
Single Pulse
100
10
1
0.1
0.0001
0.01 1 100
Pulse Width : PW [s]
www.rohm.com
© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
4/11
2012.06 - Rev.B

4페이지










QS6J11 전자부품, 판매, 대치품
QS6J11
lElectrical characteristic curves
Data Sheet
Fig.11 Drain CurrentDerating Curve
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-25 0 25 50 75 100 125 150
Junction Temperature : Tj [ºC]
Fig.12 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Gate Source Voltage
500
Ta= 25ºC
400
300 ID= -1.0A
ID= -2.0A
200
100
0
0 2 4 6 8 10
Gate - Source Voltage : -VGS [V]
Fig.13 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)
1000
Ta= 25ºC
VGS= -1.5V
VGS= -1.8V
VGS= -2.5V
VGS= -4.5V
100
.
10
0.1
1
Drain Current : -ID [A]
10
Fig.14 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperature
140
120
100
80
60
40
20 VGS= -4.5V
ID= -2.0A
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Junction Temperature : Tj [ºC]
www.rohm.com
© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
7/11
2012.06 - Rev.B

7페이지


구       성 총 12 페이지수
다운로드[ QS6J11.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
QS6J11

Dual Pch -12V -2.0A Power MOSFET

ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵