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RUE002N05 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 RUE002N05은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 RUE002N05 자료 제공

부품번호 RUE002N05 기능
기능 1.2V Drive Nch MOSFET
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


RUE002N05 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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RUE002N05 데이터시트, 핀배열, 회로
1.2V Drive Nch MOSFET
RUE002N05
Structure
Silicon N-channel MOSFET
Features
1) High speed switing.
2) Small package(EMT3).
3)Ultra low voltage drive(1.2V drive).
Application
Switching
Dimensions (Unit : mm)
EMT3
(SC-75A)
<SOT-416>
Abbreviated symbol : RH
Packaging specifications
Package
Type Code
Basic ordering unit (pieces)
RUE002N05
Taping
TL
3000
Absolute maximum ratings (Ta = 25C)
Parameter
Symbol Limits
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Continuous
Pulsed
Source current
(Body Diode)
Continuous
Pulsed
Power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
VDSS
VGSS
ID
IDP *1
IS
ISP *1
PD *2
Tch
Tstg
50
8
200
800
125
800
150
150
55 to +150
*1 Pw10s, Duty cycle1%
*2 Each terminal mounted on a recommended land.
Unit
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
C
C
Inner circuit
(3)
1
(2)
(1) SOURCE
(2) GATE
(3) DRAIN
2
(1)
1 BODY DIODE
2 ESD PROTECTION DIODE
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
* Each terminal mounted on a recommended land.
Symbol
Rth (ch-a)*
Limits
833
Unit
C / W
www.rohm.com
c 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/5
2010.06 - Rev.B




RUE002N05 pdf, 반도체, 판매, 대치품
RUE002N05
1
VDS= 10V
Pulsed
Ta= -25°C
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=125°C
0.1
0.001
0.01
0.1
1
DRAIN-CURRENT : ID[A]
Fig.10 Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
Data Sheet
1
VGS=0V
Pulsed
0.1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C
0.01
0 0.5 1 1.5
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD [V]
Fig.11 Reverse Drain Current
vs. Sourse-Drain Voltage
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
ID= 20mA
Ta=25°C
Pulsed
ID=200mA
5 10
GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS[V]
Fig.12 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage
1000
Ta=25°C
VDD=30V
tf VGS=4.5V
100
td(off)
RG=10
Pulsed
10 tr
1
0.01
td(on)
0.1
1
DRAIN-CURRENT : ID[A]
Fig.13 Switching Characteristics
1000
100
Ta=25°C
f=1MHz
VGS=0V
Ciss
10
1 Crss Coss
0.1
0.01 0.1 1 10 100
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS[V]
Fig.14 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
www.rohm.com
c 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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