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RW1C015UN 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 RW1C015UN은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 RW1C015UN 자료 제공

부품번호 RW1C015UN 기능
기능 Nch 20V 1.5A Power MOSFET
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


RW1C015UN 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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RW1C015UN 데이터시트, 핀배열, 회로
RW1C015UN
Nch 20V 1.5A Power MOSFET
Datasheet
VDSS
RDS(on) (Max.)
ID
PD
20V
180mW
1.5A
2.0W
lFeatures
1) Low on - resistance.
2) 1.5V Drive.
3) Built-in G-S Protection Diode.
4) Small Surface Mount Package (WEMT6).
5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
lApplication
DC/DC converters
lAbsolute maximum ratings(Ta = 25°C)
Parameter
Drain - Source voltage
Continuous drain current
Pulsed drain current
Gate - Source voltage
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
lOutline
WEMT6
SOT-563T
(6)
(5)
(4)
lInner circuit
(1)
(2)
(3)
(1) Drain
(2) Drain
(3) Gate
(4) Source
(5) Drain
(6) Drain
*1 ESD PROTECTION DIODE
*2 BODY DIODE
lPackaging specifications
Packaging
Reel size (mm)
Tape width (mm)
Type
Basic ordering unit (pcs)
Taping code
Marking
Taping
180
8
8,000
T2R
PS
Symbol
VDSS
ID *1
ID,pulse *2
VGSS
PD *3
PD *4
Tj
Tstg
Value
20
1.5
3.0
10
0.7
0.4
150
-55 to +150
Unit
V
A
A
V
W
W
°C
°C
www.rohm.com
© 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2013.02 - Rev.B




RW1C015UN pdf, 반도체, 판매, 대치품
RW1C015UN
lElectrical characteristic curves
Fig.1 Power Dissipation Derating Curve
120
100
80
60
40
20
0
0 50 100 150 200
Junction Temperature : Tj [°C]
Data Sheet
Fig.2 Maximum Safe Operating Area
100
Operation in this area
is limited by RDS(on)
( VGS = 10V )
10
PW = 100ms
PW = 1ms
1
PW = 10ms
DC Operation
0.1 Ta=25ºC
Single Pulse
Mounted on a ceramic board.
(30mm × 30mm × 0.8mm)
0.01
0.1 1
10
100
Drain - Source Voltage : VDS [V]
Fig.3 Normalized Transient Thermal
Resistance vs. Pulse Width
10
Ta=25ºC
Single Pulse
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
top D=1
D=0.5
D=0.1
D=0.05
D=0.01
bottom Signle
Rth(ch-a)=179ºC/W
Rth(ch-a)(t)=r(t)×Rth(ch-a)
Mounted on ceramic board
(30mm × 30mm × 0.8mm)
0.01 1 100
Pulse Width : PW [s]
Fig.4 Single Pulse Maxmum Power
dissipation
1000
Ta = 25ºC
Single Pulse
100
10
1
0.0001
0.01 1
Pulse Width : PW [s]
100
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2013.02 - Rev.B

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RW1C015UN 전자부품, 판매, 대치품
RW1C015UN
lElectrical characteristic curves
Fig.13 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)
10000
Ta= 25ºC
Pulsed
1000
VGS= 1.5V
VGS= 1.8V
VGS= 2.5V
VGS= 4.5V
100
10
0.01
0.1 1
Drain Current : ID [A]
10
Data Sheet
Fig.14 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperature
250
200
150
100
50
0
-50 -25 0
VGS = 10V
ID=1.5A
pulsed
25 50 75 100 125 150
Junction Temperature : Tj [ºC]
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