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RTQ020N05 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 RTQ020N05은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 RTQ020N05 자료 제공

부품번호 RTQ020N05 기능
기능 Nch 45V 2A Power MOSFET
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


RTQ020N05 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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RTQ020N05 데이터시트, 핀배열, 회로
RTQ020N05
Nch 45V 2A Power MOSFET
VDSS
RDS(on) (Max.)
ID
PD
45V
190mW
2A
1.25W
lFeatures
1) Low on - resistance.
2) Built-in G-S Protection Diode.
3) Small Surface Mount Package (TSMT6).
4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
lApplication
DC/DC converters
lAbsolute maximum ratings(Ta = 25°C)
Parameter
Drain - Source voltage
Continuous drain current
Pulsed drain current
Gate - Source voltage
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
Datasheet
lOutline
TSMT6
SOT-457T
(6)
(5)
(4)
(1)
(2)
(3)
lInner circuit
(1) Drain
(2) Drain
(3) Gate
(4) Source
(5) Drain
(6) Drain
*1 ESD PROTECTION DIODE
*2 BODY DIODE
lPackaging specifications
Packaging
Reel size (mm)
Tape width (mm)
Type
Basic ordering unit (pcs)
Taping code
Marking
Taping
180
8
3,000
TR
PU
Symbol
VDSS
ID *1
ID,pulse *2
VGSS
PD *3
PD *4
Tj
Tstg
Value
45
2
8
12
1.25
0.6
150
-55 to +150
Unit
V
A
A
V
W
W
°C
°C
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© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.10 - Rev.B




RTQ020N05 pdf, 반도체, 판매, 대치품
RTQ020N05
lElectrical characteristic curves
Fig.1 Power Dissipation Derating Curve
120
100
80
60
40
20
0
0 50 100 150 200
Junction Temperature : Tj [°C]
Data Sheet
Fig.2 Maximum Safe Operating Area
100
Operation in this area
is limited by RDS(on)
(VGS = 4.5V)
10
PW = 100ms
1 PW = 1ms
PW = 10ms
DC Operation
0.1 Ta=25ºC
Single Pulse
Mounted on a ceramic board.
(30mm × 30mm × 0.8mm)
0.01
0.1 1
10
100
Drain - Source Voltage : VDS [V]
Fig.3 Normalized Transient Thermal
Resistance vs. Pulse Width
10
Ta=25ºC
Single Pulse
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
top D = 1
D = 0.5
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.01
bottom Single
Rth(ch-a)=100ºC/W
Rth(ch-a)(t)=r(t)×Rth(ch-a)
Mounted on ceramic board
(30mm × 30mm × 0.8mm)
0.01 1 100
Pulse Width : PW [s]
Fig.4 Single Pulse Maximum
Power dissipation
1000
Ta=25ºC
Single Pulse
100
10
1
0.0001
0.01 1 100
Pulse Width : PW [s]
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RTQ020N05 전자부품, 판매, 대치품
RTQ020N05
lElectrical characteristic curves
Fig.13 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)
1000
Ta=25ºC
Pulsed
100 V. GS= 2.5V
VGS= 4.0V
VGS= 4.5V
10
0.1
1
Drain Current : ID [A]
10
Data Sheet
Fig.14 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperature
250
VGS = 4.5V
ID = 2.0A
200 Pulsed
150
100
50
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Junction Temperature : Tj [ºC]
Fig.15 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(II)
1000
VGS= 4.5V
Pulsed
Fig.16 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current(III)
1000
VGS= 4.0V
Pulsed
100
10
0.1
Ta=125ºC
Ta=75ºC
Ta=25ºC
Ta= -25ºC
1
Drain Current : ID [A]
10
100
10
0.1
Ta=125ºC
Ta=75ºC
Ta=25ºC
Ta= -25ºC
1
Drain Current : ID [A]
10
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