Datasheet.kr   

RDR005N25 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 RDR005N25은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 RDR005N25 자료 제공

부품번호 RDR005N25 기능
기능 Nch 250V 0.5A Power MOSFET
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


RDR005N25 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 13 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

RDR005N25 데이터시트, 핀배열, 회로
RDR005N25
Nch 250V 0.5A Power MOSFET
Datasheet
VDSS
RDS(on) (Max.)
ID
PD
250V
8.8W
0.5A
1.0W
lFeatures
1) Low on-resistance.
2) Fast switching speed.
3) Drive circuits can be simple.
4) Parallel use is easy.
5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
lApplication
Switching Power Supply
Automotive Motor Drive
Automotive Solenoid Drive
lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)
Parameter
Drain - Source voltage
Continuous drain current
Tc = 25°C
Tc = 100°C
Pulsed drain current
Gate - Source voltage
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
lOutline
TSMT3
(SSOCT--9364)6T
(1)
lInner circuit
(2)
(3)
(1) Gate
(2) Source
(3) Drain
*1 BODY DIODE
*2 ESD PROTECTION DIODE
lPackaging specifications
Packaging
Reel size (mm)
Tape width (mm)
Type
Basic ordering unit (pcs)
Taping code
Marking
Taping
180
8
3,000
TL
EE
Symbol
VDSS
ID *1
ID *1
ID,pulse *2
VGSS
PD *3
PD *4
Tj
Tstg
Value
250
0.5
0.27
2.0
20
1.0
0.54
150
-55 to +150
Unit
V
A
A
A
V
W
W
°C
°C
www.rohm.com
© 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/12
2013.02 - Rev.A




RDR005N25 pdf, 반도체, 판매, 대치품
RDR005N25
lElectrical characteristic curves
Data Sheet
Fig.1 Power Dissipation Derating Curve
120
100
80
60
40
20
0
0 25 50 75 100 125 150 175
Junction Temperature : Tj [°C]
Fig.2 Normalized Transient Thermal
Resistance vs. Pulse Width
10
Ta=25ºC
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
top D = 1
D = 0.5
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.01
D = Single
Rth(ch-a)=125ºC/W
Rth(ch-a)(t)=r(t)×Rth(ch-a)
Mounted on ceramic board
(30mm × 30mm × 0.8mm)
0.01 1
100
Pulse Width : PW [s]
www.rohm.com
© 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
4/12
2013.02 - Rev.A

4페이지










RDR005N25 전자부품, 판매, 대치품
RDR005N25
lElectrical characteristic curves
Data Sheet
Fig.9 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Gate Source Voltage
50
Ta=25ºC
40
30
ID = 0.5A
20 ID = 0.25A
10
0
0 2 4 6 8 10
Gate - Source Voltage : VGS [V]
Fig.10 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)
100
Ta=25ºC
VGS= 4V
VGS= 4.5V
10 VGS= 10V
1
0.01
0.1
Drain Current : ID [A]
1
Fig.11 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperature
20
18 VGS = 10V
ID = 0.25A
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-50 0 50 100 150
Junction Temperature : Tj [ºC]
www.rohm.com
© 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
7/12
2013.02 - Rev.A

7페이지


구       성 총 13 페이지수
다운로드[ RDR005N25.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
RDR005N25

Nch 250V 0.5A Power MOSFET

ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵