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부품번호 | RDR005N25 기능 |
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기능 | Nch 250V 0.5A Power MOSFET | ||
제조업체 | ROHM Semiconductor | ||
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전체 13 페이지수
RDR005N25
Nch 250V 0.5A Power MOSFET
Datasheet
VDSS
RDS(on) (Max.)
ID
PD
250V
8.8W
0.5A
1.0W
lFeatures
1) Low on-resistance.
2) Fast switching speed.
3) Drive circuits can be simple.
4) Parallel use is easy.
5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
lApplication
Switching Power Supply
Automotive Motor Drive
Automotive Solenoid Drive
lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)
Parameter
Drain - Source voltage
Continuous drain current
Tc = 25°C
Tc = 100°C
Pulsed drain current
Gate - Source voltage
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
lOutline
TSMT3
(SSOCT--9364)6T
(1)
lInner circuit
(2)
(3)
(1) Gate
(2) Source
(3) Drain
*1 BODY DIODE
*2 ESD PROTECTION DIODE
lPackaging specifications
Packaging
Reel size (mm)
Tape width (mm)
Type
Basic ordering unit (pcs)
Taping code
Marking
Taping
180
8
3,000
TL
EE
Symbol
VDSS
ID *1
ID *1
ID,pulse *2
VGSS
PD *3
PD *4
Tj
Tstg
Value
250
0.5
0.27
2.0
20
1.0
0.54
150
-55 to +150
Unit
V
A
A
A
V
W
W
°C
°C
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2013.02 - Rev.A
RDR005N25
lElectrical characteristic curves
Data Sheet
Fig.1 Power Dissipation Derating Curve
120
100
80
60
40
20
0
0 25 50 75 100 125 150 175
Junction Temperature : Tj [°C]
Fig.2 Normalized Transient Thermal
Resistance vs. Pulse Width
10
Ta=25ºC
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
top D = 1
D = 0.5
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.01
D = Single
Rth(ch-a)=125ºC/W
Rth(ch-a)(t)=r(t)×Rth(ch-a)
Mounted on ceramic board
(30mm × 30mm × 0.8mm)
0.01 1
100
Pulse Width : PW [s]
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2013.02 - Rev.A
4페이지 RDR005N25
lElectrical characteristic curves
Data Sheet
Fig.9 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Gate Source Voltage
50
Ta=25ºC
40
30
ID = 0.5A
20 ID = 0.25A
10
0
0 2 4 6 8 10
Gate - Source Voltage : VGS [V]
Fig.10 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)
100
Ta=25ºC
VGS= 4V
VGS= 4.5V
10 VGS= 10V
1
0.01
0.1
Drain Current : ID [A]
1
Fig.11 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperature
20
18 VGS = 10V
ID = 0.25A
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-50 0 50 100 150
Junction Temperature : Tj [ºC]
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2013.02 - Rev.A
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