Datasheet.kr   

QS5U13 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 QS5U13은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 QS5U13 자료 제공

부품번호 QS5U13 기능
기능 2.5V Drive Nch+SBD MOSFET
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


QS5U13 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 11 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

QS5U13 데이터시트, 핀배열, 회로
QS5U13
  2.5V Drive Nch+SBD MOSFET
   Datasheet
VDSS
RDS(on)(Max.)
ID
PD
30V
100mΩ
±2.0A
1.25W
lOutline
TSMT5
 
 
      
      
 
 
 
      
lFeatures
1) The QS5U13 combines Nch MOSFET with a
  Schottky barrier diode in a single TSMT5
  package.
2) Low on-state resistance with fast swicthing
3) Low voltage drive (2.5V drive).
4) Built-in Low VF schottky barrier diode.
5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.
lInner circuit
lPackaging specifications
Packing
Embossed
Tape
Reel size (mm)
180
lApplication
Load switch, DC/ DC conversion
Type Tape width (mm)
Basic ordering unit (pcs)
8
3000
Taping code
TR
lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)
<MOSFET>
Marking
U13
Parameter
Symbol
Value
Unit
Drain - Source voltage
VDSS
30 V
Gate - Source voltage
VGSS
12 V
Continuous drain current
ID ±2.0 A
Pulsed drain current
ID,
*1
pulse
±8.0
A
Continuous source current (body diode)
IS 0.8 A
Pulsed source current (body diode)
IS,
*1
pulse
3.2
A
Power dissipation
PD*3 0.9 W/element
Junction temperature
Tj 150
      
                                                                                        
www.rohm.com
© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/10
20150730 - Rev.001    




QS5U13 pdf, 반도체, 판매, 대치품
QS5U13
      
lElectrical characteristics (Ta = 25°C)
<Di>
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Symbol
Conditions
IF = 0.1A
VF
IF = 0.5A
IR VR = 20V
                Datasheet
Values
Min. Typ. Max.
- - 0.36
- - 0.47
- - 100
Unit
V
V
μA
*1 Pw ≤ 10μs, Duty cycle ≤ 1%
*2 60Hz1 cycle
*3 Mounted on a ceramic board
*4 Pulsed
www.rohm.com
© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
                             
4/10 20150730 - Rev.001

4페이지










QS5U13 전자부품, 판매, 대치품
QS5U13
      
lElectrical characteristic curves <MOSFET>
Fig.9 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current (III)
                Datasheet
Fig.10 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current (IV)
www.rohm.com
© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
                             
7/10 20150730 - Rev.001

7페이지


구       성 총 11 페이지수
다운로드[ QS5U13.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
QS5U12

Small switching (30V/ 2.0A)

ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
QS5U12

2.5V Drive Nch+SBD MOSFET

ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵