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RRH040P03 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 RRH040P03은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 RRH040P03 자료 제공

부품번호 RRH040P03 기능
기능 Pch -30V -4A Power MOSFET
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


RRH040P03 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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RRH040P03 데이터시트, 핀배열, 회로
RRH040P03
Pch -30V -4A Power MOSFET
Datasheet
VDSS
RDS(on) (Max.)
ID
PD
lFeatures
1) Low on - resistance.
-30V
75mW
-4A
2.0W
2) Built-in G-S Protection Diode.
3) Small Surface Mount Package (SOP8).
4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
lOutline
SOP8
(5)
(6)
(7)
(8)
lInner circuit
(4)
(3)
(2)
(1)
(1) Source
(2) Source
(3) Source
(4) Gate
(5) Drain
(6) Drain
(7) Drain
(8) Drain
*1 ESD PROTECTION DIODE
*2 BODY DIODE
lApplication
DC/DC Converter
lAbsolute maximum ratings(Ta = 25°C)
Parameter
Drain - Source voltage
Continuous drain current
Pulsed drain current
Gate - Source voltage
Avalanche energy, single pulse
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
lPackaging specifications
Packaging
Reel size (mm)
Tape width (mm)
Type
Basic ordering unit (pcs)
Taping code
Marking
Taping
330
12
2,500
TB
RRH040P03
Symbol
VDSS
ID *1
ID,pulse *2
VGSS
EAS *3
PD *4
PD *5
Tj
Tstg
Value
-30
4
16
20
0.1
2.0
0.65
150
-55 to +150
Unit
V
A
A
V
mJ
W
W
°C
°C
www.rohm.com
© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.06 - Rev.C




RRH040P03 pdf, 반도체, 판매, 대치품
RRH040P03
lElectrical characteristic curves
Data Sheet
Fig.1 Power Dissipation Derating Curve
120
100
80
60
40
20
0
0 50 100 150 200
Junction Temperature : Tj [°C]
Fig.2 Maximum Safe Operating Area
100
10
Operation in this area
is limited by RDS(on)
PW = 10ms
PW = 1ms
(VGS = 10V )
PW = 100μs
1
DC Operation
0.1 Ta=25ºC
Single Pulse
Mounted on a ceramic board.
(30mm × 30mm × 0.8mm)
0.01
0.1 1 10
100
Drain - Source Voltage : -VDS [V]
Fig.3 Normalized Transient Thermal
Resistance vs. Pulse Width
10
Ta=25ºC
Single Pulse
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
top D=1
D=0.5
D=0.1
D=0.05
D=0.01
bottom Signle
Rth(ch-a)=62.5ºC/W
Rth(ch-a)(t)=r(t)×Rth(ch-a)
Mounted on ceramic board
(30mm × 30mm × 0.8mm)
0.01 1 100
Pulse Width : PW [s]
Fig.4 Avalanche Current vs. Power dissipation
1000
Ta=25ºC
Single Pulse
100
10
1
0.0001
0.01 1 100
Pulse Width : PW [s]
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RRH040P03 전자부품, 판매, 대치품
RRH040P03
lElectrical characteristic curves
Fig.13 Drain Current Derating Curve
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-25
0 25 50 75 100 125 150
Junction Temperature : Tj [ºC]
Data Sheet
Fig.14 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Gate Source Voltage
300
Ta= 25ºC
250
200 ID= -2.0A
150 ID= -4.0A
100
50
0
0 5 10 15
Gate - Source Voltage : -VGS [V]
Fig.15 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)
1000
Ta= 25ºC
VGS= -4.0V
VGS= -4.5V
VGS= -10V
100
.
10
0.1
1
Drain Current : -ID [A]
10
Fig.16 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperature
100
80
60
40
20
VGS= -10V
ID= -4.0A
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Junction Temperature : Tj [ºC]
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