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STU75N3LLH6-S 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 STU75N3LLH6-S은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 STU75N3LLH6-S 자료 제공

부품번호 STU75N3LLH6-S 기능
기능 N-channel MOSFET
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


STU75N3LLH6-S 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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STU75N3LLH6-S 데이터시트, 핀배열, 회로
STD75N3LLH6, STP75N3LLH6
STU75N3LLH6, STU75N3LLH6-S
N-channel 30 V, 0.0042 Ω, 75 A, DPAK, TO-220, IPAK, Short IPAK
STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET
Features
Order codes
STD75N3LLH6
STP75N3LLH6
STU75N3LLH6
STU75N3LLH6-S
VDSS
30 V
RDS(on) max
< 0.0055 Ω
ID
75 A
< 0.0059 Ω
RDS(on) * Qg industry benchmark
Extremely low on-resistance RDS(on)
High avalanche ruggedness
Low gate drive power losses
Application
Switching applications
Description
This N-Channel Power MOSFET product utilizes
the 6th generation of design rules of ST’s
proprietary STripFET™ technology, with a new
gate structure.The resulting Power MOSFET
exhibits the lowest RDS(on) in all packages.
TAB
IPAK
3
2
1
TAB
3
2
1
Short IPAK
TAB
3
1
DPAK
TAB
3
2
1
TO-220
Figure 1. Internal schematic diagram
D (TAB or 2)
G(1)
Table 1. Device summary
Order codes
STD75N3LLH6
STP75N3LLH6
STU75N3LLH6
STU75N3LLH6-S
Marking
75N3LLH6
S(3)
AM01474v1
Package
DPAK
TO-220
IPAK
Short IPAK
Packaging
Tape and reel
Tube
July 2011
Doc ID 15978 Rev 4
1/21
www.st.com
21
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/




STU75N3LLH6-S pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical characteristics
2 Electrical characteristics
STD/P/U75N3LLH6, STU75N3LLH6-S
(TCASE=25°C unless otherwise specified)
Table 4. On/off states
Symbol
Parameter
Test conditions
Min. Typ. Max. Unit
Drain-source
V(BR)DSS breakdown voltage (VGS = 0) ID = 250 µA
IDSS
Zero gate voltage
drain current (VGS = 0)
VDS = 30 V
VDS =30 V TC = 125 °C
IGSS
Gate-body leakage
current (VDS = 0)
VGS = ± 20 V
VGS(th) Gate threshold voltage
VDS = VGS, ID = 250 µA
VGS = 10 V, ID = 37.5 A
SMD version
30 V
1 µA
10 µA
±100 nA
1 1.7 2.5 V
0.0042 0.0055 Ω
RDS(on)
Static drain-source on
resistance
VGS = 10 V, ID = 37.5 A
VGS = 4.5 V, ID = 37.5 A
SMD version
0.0046 0.0059 Ω
0.0065 0.008 Ω
VGS = 4.5 V, ID = 37.5 A
0.0069 0.0084 Ω
Table 5.
Symbol
Dynamic
Parameter
Ciss
Coss
Crss
Qg
Qgs
Qgd
Qgs1
Qgs2
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
Pre Vth gate-to-source
charge
Post Vth gate-to-source
charge
RG Gate input resistance
Test conditions
Min. Typ. Max.
VDS = 25 V, f = 1 MHz,
VGS = 0
1350
230
140
1690
290
176
2030
350
210
VDD = 15 V, ID = 75 A,
VGS = 4.5 V
(see Figure 14)
17 23.8
8 11.2
6 8.4
VDD=15 V, ID = 75 A
VGS =5 V
(Figure 19)
3.9 5.5
4.1 5.7
f=1 MHz gate bias
Bias=0 test signal
level=20 mV open drain
1.25
1.7
2
Unit
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
Ω
4/21
Doc ID 15978 Rev 4
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STU75N3LLH6-S 전자부품, 판매, 대치품
STD/P/U75N3LLH6, STU75N3LLH6-S
Electrical characteristics
Figure 8.
VGS
(V)
12
10
8
6
4
2
Gate charge vs gate-source voltage Figure 9. Capacitance variations
VDD=15V
ID=75A
AM05509v1
C
(pF)
2500
2000
1500
1000
500
0
0 10 20 30 40 50 Qg(nC)
0
0 10 20
AM05510v1
Ciss
Coss
Crss
VDS(V)
Figure 10. Normalized gate threshold voltage Figure 11. Normalized on resistance vs
vs temperature
temperature
VGS(th)
(norm)
1.2
1.0
AM05511v1
RDS(on)
(norm)
1.8
1.6
1.4
1.2
AM05512v1
0.8 1.0
0.8
0.6 0.6
0.4
0.2
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 TJ(°C)
0.4
0.2
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 TJ(°C)
Figure 12. Source-drain diode forward
characteristics
VSD
(V)
1.0
TJ=-55°C
AM00896v1
0.9
0.8
TJ=25°C
0.7
TJ=150°C
0.6
0.5
0.4
0 10 20 30 40 50 60 70 ISD(A)
Doc ID 15978 Rev 4
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