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STDLED602 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 STDLED602은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 STDLED602 자료 제공

부품번호 STDLED602 기능
기능 N-channel Power MOSFET
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


STDLED602 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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STDLED602 데이터시트, 핀배열, 회로
STDLED602, STULED602
N-channel 600 V, 4 Ω typ., 2 A Power MOSFET
in DPAK and IPAK packages
Datasheet preliminary data
Features
Order codes VDS RDS(on)max. ID PTOT
STDLED602
TAB
TAB
t(s)3
1
ucDPAK
IPAK
3
2
1
olete ProdFigure 1. Internal schematic diagram
bsD(2,TAB)
roduct(s) - OG(1)
600 V
STULED602
4.5 Ω
2 A 45 W
100% avalanche tested
Extremely high dv/dt capability
Very low intrinsic capacitance
Improved diode reverse recovery
characteristics
Zener-protected
Applications
LED lighting application
Description
These Power MOSFETs boast extremely low on-
resistance, superior dynamic performance and
high avalanche capability, making them suitable
for the buck-boost and flyback topology.
lete P S(3)
Obso AM01476v1
Order codes
STDLED602
STULED602
Table 1. Device summary
Marking
Package
LED602
DPAK
IPAK
Packaging
Tape and reel
Tube
March 2013
DocID024406 Rev 1
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to
change without notice.
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www.st.com
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STDLED602 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical characteristics
2 Electrical characteristics
STDLED602, STULED602
(TC = 25 °C unless otherwise specified)
Table 5. On /off states
Symbol
Parameter
Test conditions
Min. Typ. Max. Unit
V(BR)DSS
Drain-source
breakdown voltage
ID = 1 mA, VGS = 0
600
V
IDSS
t(s)IGSS
cVGS(th)
roduRDS(on
Zero gate voltage
VDS = 600 V
drain current (VGS = 0) VDS = 600 V, TC=125 °C
Gate-body leakage
current (VDS = 0)
VGS = ± 20 V
Gate threshold voltage VDS = VGS, ID = 50 µA
Static drain-source on-
resistance
VGS = 10 V, ID = 1 A
1 µA
50 µA
± 10 µA
3 3.6 4.5 V
4 4.5 Ω
lete PTable 6. Dynamic
oSymbol
Parameter
Test conditions
Min. Typ. Max. Unit
ObsCiss
-Coss
t(s)Crss
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
VDS = 50 V, f = 1 MHz, VGS = 0 -
245
23
3.6
pF
- pF
pF
ucCo(er)(1)
Eq. capacitance
energy related
- 10 - pF
rodRG
Intrinsic gate
resistance
f = 1 MHz open drain
- 7 -Ω
PQg Total gate charge
VDD = 480 V, ID = 1 A,
teQgs Gate-source charge VGS = 10 V
le Qgd Gate-drain charge
(see Figure 16)
13 nC
- 1.9 - nC
7.9 nC
so 1. Coss eq. energy related is defined as a constant equivalent capacitance giving the same stored energy as
Ob Coss when VDS increases from 0 to 80% VDSS
Symbol
Parameter
td(on)
tr
td(off)
tf
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off-delay time
Fall time
Table 7. Switching times
Test conditions
VDD = 300 V, ID =1 A,
RG = 4.7 Ω, VGS = 10 V
(see Figure 15)
Min. Typ. Max. Unit
10 ns
8.5 ns
--
23.5 ns
21 ns
4/19 DocID024406 Rev 1

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STDLED602 전자부품, 판매, 대치품
STDLED602, STULED602
Electrical characteristics
Figure 8. Capacitance variations
C
(pF)
AM13058v1
Figure 9. Output capacitance stored energy
Eoss
(µJ)
AM13059v1
Ciss
1.5
100
1
10 Coss
0.5
Crss
t(s)1
0.1 1
10 100 VDS(V)
ucFigure 10. Normalized gate threshold voltage vs
dtemperature
roVGS(th)
P(norm)
te1.10
ID=50µA
AM13060v1
ole1.00
Obs0.90
t(s) -0.80
duc0.70
ro-75 -25 25 75 125 TJ(°C)
PFigure 12. Normalized BVDSS vs temperature
leteBVDSS
o(norm)
Obs 1.10
ID=1mA
AM13062v1
0
0 100 200 300 400 500 600 VDS(V)
Figure 11. Normalized on-resistance vs
temperature
RDS(on)
(norm)
2.5
ID=1.1A
VGS=10V
AM13061v1
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-75 -25 25 75 125 TJ(°C)
Figure 13. Source-drain diode forward
characteristics
VSD (V)
0.9
0.8
TJ=-50°C
AM13063v1
TJ=25°C
1.05
0.7
0.6 TJ=150°C
0.5
1.00
0.4
0.3
0.95
0.2
0.90
-75 -25 25 75 125 TJ(°C)
0.1
0
0 1 2 3 4 5 ISD(A)
DocID024406 Rev 1
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