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STPLED625 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 STPLED625은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 STPLED625 자료 제공

부품번호 STPLED625 기능
기능 N-channel Power MOSFET
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


STPLED625 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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STPLED625 데이터시트, 핀배열, 회로
STFILED625, STPLED625
N-channel 620 V, 1.28 Ω typ., 5.0 A Power MOSFET
in I2PAKFP and TO-220 packages
Datasheet preliminary data
Features
Order codes VDS
RDS(on)
max
ID PTOT
uct(s)1 2 3
rodI²PAKFP
TAB
3
2
1
TO-220
olete PFigure 1. Internal schematic diagram
bsD(2,TAB)
ct(s) - OG(1)
lete ProduS(3)
Obso AM01476v1
STFILED625
620 V
STPLED625
1.6 Ω
25 W
5.0 A
70 W
100% avalanche tested
Extremely high dv/dt capability
Gate charge minimized
Very low intrinsic capacitance
Improved diode reverse recovery
characteristics
Zener-protected
Applications
LED lighting applications
Description
These Power MOSFETs boast extremely low on-
resistance and very good dv/dt capability,
rendering them suitable for buck-boost and
flyback topologies.
Order codes
STFILED625
STPLED625
Table 1. Device summary
Marking
Package
LED625
I2PAKFP (TO-281)
TO-220
Packaging
Tube
March 2013
DocID024425 Rev 1
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to
change without notice.
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www.st.com
15




STPLED625 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical characteristics
2 Electrical characteristics
STFILED625, STPLED625
(Tcase =25 °C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Table 4. On /off states
Test conditions
Min. Typ. Max. Unit
V(BR)DSS
Drain-source
breakdown voltage
ID = 1 mA, VGS = 0
620
V
IDSS
t(s)IGSS
ucVGS(th)
rodRDS(on)
Zero gate voltage
VDS = 620 V
drain current (VGS = 0) VDS = 620 V, TC=125 °C
Gate-body leakage
current (VDS = 0)
VGS = ± 20 V; VDS=0
Gate threshold voltage VDS = VGS, ID = 50 µA
Static drain-source on
resistance
VGS = 10 V, ID = 2.1 A
1 µA
50 µA
±10 µA
3 3.6 4.5 V
1.28 1.6 Ω
solete PSymbol
Parameter
Table 5. Dynamic
Test conditions
Min. Typ. Max. Unit
ObCiss
-Coss
t(s)Crss
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
VDS = 50 V, f = 1 MHz,
VGS = 0
690 pF
- 52 - pF
8.5 pF
ucCOSS
(1)
eq
Equivalent output
capacitance
VGS = 0, VDS = 0 to 496 V
16.6 pF
rodRg Gate input resistance f=1 MHz open drain
- 4 -Ω
PQg Total gate charge
VDD = 496 V, ID = 4.2 A,
teQgs Gate-source charge VGS = 10 V
le Qgd Gate-drain charge
(see Figure 18)
27 nC
- 4 - nC
16 nC
o 1. Coss eq. is defined as a constant equivalent capacitance giving the same charging time as Coss when VDS
Obs increases from 0 to 80% VDSS
Symbol
Table 6. Switching times
Parameter
Test conditions
Min. Typ. Max Unit
td(on)
tr
td(off)
tf
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off-delay time
Fall time
VDD = 310 V, ID = 4.2 A,
RG = 4.7 Ω, VGS = 10 V
(see Figure 17)
12
8
-
40
21
ns
ns
-
ns
ns
4/15 DocID024425 Rev 1

4페이지










STPLED625 전자부품, 판매, 대치품
STFILED625, STPLED625
Electrical characteristics
Figure 8. Gate charge vs gate-source voltage Figure 9. Static drain-source on-resistance
VGS
(V)
VDS
12
10
8
6
VDD=496V
ID=4.2A
AM08245v1
VGS
500
400
300
RDS(on) (Ω)
1.38
1.36
1.34
1.32
1.30
VGS=10V
AM08246v1
200 1.28
4
1.26
2 100
t(s)0 0
0 5 10 15 20 25 30 Qg(nC)
1.24
1.22
1.0 2.0 3.0 4.0 ID(A)
ucFigure 10. Capacitance variations
rodC
(pF)
AM08247v1
Figure 11. Output capacitance stored energy
Eoss
(µJ)
AM08248v1
te P1000
bsole100
t(s) - O10
Ciss
Coss
Crss
4
3
2
1
uc1
d0.1 1
10 100 VDS(V)
roFigure 12. Normalized gate threshold voltage vs
Ptemperature
teVGS(th)
le(norm)
o1.10
AM08249v1
Obs1.00
0
0 100 200 300 400 500 VDS(V)
Figure 13. Normalized on-resistance vs
temperature
RDS(on)
(norm)
AM08250v1
2.5
2.0
0.90
0.80
0.70
-75 -25 25 75 125 TJ(°C)
1.5
1.0
0.5
0
-75 -25 25 75 125 TJ(°C)
DocID024425 Rev 1
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