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부품번호 | STD456A 기능 |
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기능 | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | ||
제조업체 | SamHop Microelectronics | ||
로고 | |||
STU/D456AGreen
Product
Sa mHop Microelectronics C orp.
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Ver 1.1
PRODUCT SUMMARY
VDSS
ID RDS(ON) (mΩ) Max
23 @ VGS=10V
40V 30A
36 @ VGS=4.5V
FEATURES
Super high dense cell design for low RDS(ON).
Rugged and reliable.
TO-252 and TO-251 Package.
G
S
STU SERIES
TO-252AA(D-PAK)
G
DS
STD SERIES
TO-251S(I-PAK)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise noted)
Symbol Parameter
VDS Drain-Source Voltage
VGS Gate-Source Voltage
ID
Drain Current-Continuous a
TC=25°C
TC=70°C
IDM -Pulsed b
EAS Single Pulse Avalanche Energy d
PD
Maximum Power Dissipation a
TC=25°C
TC=70°C
TJ, TSTG
Operating Junction and Storage
Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
R JC
Thermal Resistance, Junction-to-Case a
R JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient a
Limit
40
±20
30
24
88
30
42
27
-55 to 150
3
50
Units
V
V
A
A
A
mJ
W
W
°C
°C/W
°C/W
Details are subject to change without notice.
1
Nov,17,2014
www.samhop.com.tw
STU/D456A
90
ID=15A
75
60
45
125 C
30
15 75 C 25 C
0
02
4
6 8 10
VGS, Gate-to-Source Voltage(V)
Figure 7. On-Resistance vs.
Gate-Source Voltage
600
Ciss
500
400
300
200
Crss
100
Coss
0
0 5 10 15 20 25 30
VDS, Drain-to-Source Voltage(V)
Figure 9. Capacitance
60
125 C 25 C
10
Ver 1.1
75 C
1
0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5
VSD, Body Diode Forward Voltage(V)
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
10
VDS=20V
8
ID=15A
6
4
2
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Qg, Total Gate Charge(nC)
Figure 10. Gate Charge
300
100
10
TD(off )
Tf
Tr
TD(on)
100
10
R DS(ON) Limit
DC10ms 1ms
100us
VDS=20V,ID=1A
VGS=10V
1
1 10
Rg, Gate Resistance(Ω)
100
Figure 11. switching characteristics
1
0.3
0.1
VGS=10V
Single Pulse
TA=25 C
1 10 40
VDS, Drain-Source Voltage(V)
Figure 12. Maximum Safe Operating Area
Nov,17,2014
4 www.samhop.com.tw
4페이지 STU/D456A
TO-251
E
b3
A
c2
D1
H
1
b2
E1 D
23
L4 L5
b
e
b4
c
SYMBOL
E
L
L4
L5
D
H
b
b2
b3
b4
e
A
c
c2
D1
E1
MILLIMETERS
MIN MAX
6.350
6.731
3.700
4.400
0.698 REF
0.972
1.226
5.970
9.670
6.223
11.450
0.630
0.850
0.760
4.950
1.140
5.460
0.450
0.550
2.286 BSC
2.180
0.400
0.400
2.390
0.610
0.610
5.100
4.318
L
Ver 1.1
Nov,17,2014
7 www.samhop.com.tw
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STD456A | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | SamHop Microelectronics |
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