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부품번호 | BSC016N03LSG 기능 |
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기능 | Power-Transistor | ||
제조업체 | Infineon Technologies | ||
로고 | |||
전체 10 페이지수
BSC016N03LS G
OptiMOS™3 Power-MOSFET
Features
• Fast switching MOSFET for SMPS
• Optimized technology for DC/DC converters
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
• N-channel
Product Summary
V DS
R DS(on),max
ID
30 V
1.6 mΩ
100 A
PG-TDSON-8
• Logic level
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
• Very low on-resistance R DS(on)
• Superior thermal resistance
• Avalanche rated
• Pb-free plating; RoHS compliant;
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
Type
Package
Marking
BSC016N03LS G
PG-TDSON-8 016N03LS
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Value
Unit
Continuous drain current
I D V GS=10 V, T C=25 °C
V GS=10 V, T C=100 °C
100 A
100
Pulsed drain current3)
Avalanche current, single pulse4)
Avalanche energy, single pulse
Reverse diode dv /dt
Gate source voltage
1) J-STD20 and JESD22
V GS=4.5 V, T C=25 °C
V GS=4.5 V,
T C=100 °C
V GS=10 V, T A=25 °C,
R thJA=50 K/W2)
I D,pulse
I AS
E AS
dv /dt
V GS
T C=25 °C
T C=25 °C
I D=50 A, R GS=25 Ω
I D=50 A, V DS=24 V,
di /dt =200 A/µs,
T j,max=150 °C
100
100
32
400
50
290 mJ
6 kV/µs
±20 V
Rev. 1.28
page 1
2009-10-22
1 Power dissipation
P tot=f(T C)
2 Drain current
I D=f(T C); V GS≥10 V
BSC016N03LS G
140
120
100
80
60
40
20
0
0 40 80 120
T C [°C]
3 Safe operating area
I D=f(V DS); T C=25 °C; D =0
parameter: t p
103
limited by on-state
resistance
1 µs
10 µs
102 100 µs
DC
1 ms
101
10 ms
100
10-1
10-1
Rev. 1.28
100 101
V DS [V]
120
100
80
60
40
20
0
160 0
40 80 120
T C [°C]
4 Max. transient thermal impedance
Z thJC=f(t p)
parameter: D =t p/T
10
160
1
0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.02
0.01
102
0.01 0
10-6
single pulse
00
10-5
10-4
0
10-3
0
10-2
0
10-1
1
100
t p [s]
page 4
2009-10-22
4페이지 13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25 Ω
parameter: T j(start)
100
125 °C
100 °C
25 °C
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=30 A pulsed
parameter: V DD
12
10
BSC016N03LS G
15 V
6V
24 V
8
10 6
4
2
1
1 10 100
t AV [µs]
15 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA
1000
0
0
40 80
Q gate [nC]
16 Gate charge waveforms
120
34
V GS
32
30
28
26 V g s(th)
24
22 Q g(th)
20
-60 -20 20
60 100 140 180
T j [°C]
Rev. 1.28
page 7
Q gs
Qg
Q sw
Q gd
Q gate
2009-10-22
7페이지 | |||
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