|
|
|
부품번호 | 1PS59SB21 기능 |
|
|
기능 | Schottky barrier diode | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 8 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
age
M3D114
1PS59SB21
Schottky barrier diode
Product specification
Supersedes data of 1998 Jul 28
1999 May 05
Philips Semiconductors
Schottky barrier diode
GRAPHICAL DATA
103
handbook, halfpage
IF
(mA)
102
(1)
(2)
10
1 (3)
MBK575
10−1
150 250 350 450 550
VF (mV)
(1) Tamb = 125 °C.
(2) Tamb = 85 °C.
(3) Tamb = 25 °C.
Fig.2 Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
Product specification
1PS59SB21
1
handbook, halfpage
IR
(mA)
10−1
(1)
MBK576
10−2
(2)
(3)
10−3
0
10 20
30 VR (V) 40
(1) Tamb = 125 °C.
(2) Tamb = 85 °C.
(3) Tamb = 25 °C.
Fig.3 Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
102
handbook, halfpage
Cd
(pF)
10
MBK574
1
0 10 20 30 VR (V) 40
f = 1 MHz; Tj = 25 °C.
Fig.4 Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
1999 May 05
4
4페이지 Philips Semiconductors
Schottky barrier diode
NOTES
Product specification
1PS59SB21
1999 May 05
7
7페이지 | |||
구 성 | 총 8 페이지수 | ||
다운로드 | [ 1PS59SB21.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
1PS59SB20 | Schottky barrier diode | NXP Semiconductors |
1PS59SB21 | Schottky barrier diode | NXP Semiconductors |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |