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부품번호 | 1PS79SB62 기능 |
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기능 | Schottky barrier diode | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
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전체 8 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
M3D319
1PS79SB62
Schottky barrier diode
Product specification
2001 Jan 18
Philips Semiconductors
Schottky barrier diode
GRAPHICAL DATA
10
handbook, halfpage
IF
(mA)
1
MGT832
10−1
(2)
(1) (3)
10−2
0
0.4 0.8 1.2 1.6
2
VF (V)
(1) Tamb = 125 °C.
(2) Tamb = 85 °C.
(3) Tamb = 25 °C.
Fig.2 Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
Product specification
1PS79SB62
104
handbook, halfpage
IR
(nA)
103 (1)
102 (2)
MGT833
10
(3)
1
10−1
0
10 20 30 VR (V) 40
(1) Tamb = 125 °C.
(2) Tamb = 85 °C.
(3) Tamb = 25 °C.
Fig.3 Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
0.42
handbook, halfpage
Cd
(pF)
0.38
MGT834
0.34
0.30
0.26
0.22
0
10 20 30 VR (V) 40
f = 1 MHz; Tamb = 25 °C.
Fig.4 Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
2001 Jan 18
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4페이지 Philips Semiconductors
Schottky barrier diode
NOTES
Product specification
1PS79SB62
2001 Jan 18
7
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
1PS79SB62 | Schottky barrier diode | NXP Semiconductors |
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