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부품번호 | 1PS89SB14 기능 |
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기능 | Schottky barrier double diodes | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
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전체 8 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
M3D425
1PS89SB14; 1PS89SB15;
1PS89SB16
Schottky barrier double diodes
Preliminary specification
1998 Nov 10
Philips Semiconductors
Schottky barrier double diodes
GRAPHICAL DATA
handboo1k,0h3alfpage
IF
(mA)
10 2
(1) (2) (3)
MSA892
10
(1) (2) (3)
1
10 1
0
0.4
(1) Tamb = 125 °C.
(2) Tamb = 85 °C.
(3) Tamb = 25 °C.
0.8 1.2
VF (V)
Fig.5 Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
Preliminary specification
1PS89SB14; 1PS89SB15;
1PS89SB16
103
IR
(µA)
102
10
MGL495
(1)
(2)
1 (3)
10−1
0
10 20 VR (V) 30
(1) Tamb = 125 °C.
(2) Tamb = 85 °C.
(3) Tamb = 25 °C.
Fig.6 Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
15
Cd
(pF)
10
5
MGL496
0
0 10 20 VR (V) 30
f = 1 MHz; Tamb = 25 °C.
Fig.7 Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
1998 Nov 10
4
4페이지 Philips Semiconductors
Schottky barrier double diodes
NOTES
Preliminary specification
1PS89SB14; 1PS89SB15;
1PS89SB16
1998 Nov 10
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
1PS89SB14 | Schottky barrier double diodes | NXP Semiconductors |
1PS89SB15 | Schottky barrier double diodes | NXP Semiconductors |
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