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SUD19P06-60L 데이터시트 PDF




Vishay에서 제조한 전자 부품 SUD19P06-60L은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 SUD19P06-60L 자료 제공

부품번호 SUD19P06-60L 기능
기능 P-Channel MOSFET
제조업체 Vishay
로고 Vishay 로고


SUD19P06-60L 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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SUD19P06-60L 데이터시트, 핀배열, 회로
New Product
SUD19P06-60L
Vishay Siliconix
P-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)
rDS(on) (Ω)
- 60 0.060 at VGS = - 10 V
0.077 at VGS = - 4.5 V
ID (A)
- 19
- 16.8
Qg (Typ)
26
TO-252
FEATURES
• TrenchFET® Power MOSFET
• 175 °C Junction Temperature
S
GDS
Top View
Drain Connected to Tab
Ordering Information: SUD19P06-60L-E3 (Lead (Pb)-free)
G
D
P-Channel MOSFET
RoHS
COMPLIANT
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Drain-Source Voltage
VDS
Gate-Source Voltage
VGS
Continuous Drain Current (TJ = 175 °C)
TC = 25 °C
TC = 125 °C
ID
Pulsed Drain Current
IDM
Avalanche Current, Single Pulse
Repetitive Avalanche Energy, Single Pulsea
L = 0.1 mH
IAS
EAS
Power Dissipation
TC = 25 °C
TA = 25 °C
PD
Operating Junction and Storage Temperature Range
TJ, Tstg
Limit
- 60
± 20
- 19
- 11
- 30
- 22
24.2
46c
2.7b, c
- 55 to 175
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction-to-Ambientb
Junction-to-Case
Notes:
a. Duty cycle 1 %.
b. When monuted on 1" square PCB (FR-4 material).
c. See SOA curve for voltage derating.
t 10 s
Steady State
Symbol
RthJA
RthJC
Typical
17
45
2.7
Maximum
21
55
3.25
Unit
V
A
mJ
W
°C
Unit
°C/W
Document Number: 73103
S-71660-Rev. B, 06-Aug-07
www.vishay.com
1




SUD19P06-60L pdf, 반도체, 판매, 대치품
SUD19P06-60L
Vishay Siliconix
New Product
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2.2 40
VGS = 10 V
1.9 ID = 10 A
1.6
10 TJ = 150 °C
TJ = 25 °C
1.3
1.0
0.7
0.4
- 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 175
TJ - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
THERMAL RATINGS
25
1
0.0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5
VSD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
20
15
10
5
0
0 25 50 75 100 125 150 175
TC - Case Temperature (°C)
Maximum Avalanche Drain Current
vs. Case Temperature
2
1
Duty Cycle = 0.5
*Limited
10 by rDS(on)
10 µs
100 µs
1
TC = 25 °C
Single Pulse
1 ms
10 ms
100 ms
DC
0.1
0.1
1
10 100
VDS − Drain-to-Source Voltage (V)
*VGS minimum VGS at which rDS(on) is specified
Safe Operating Area
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
10-4
Single Pulse
10-3
10-2
10-1
1
10
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
100
600
www.vishay.com
4
Document Number: 73103
S-71660-Rev. B, 06-Aug-07

4페이지












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