1R5JH45 PDF 데이터시트 ( Data )

부품번호

1R5JH45 기능

기능

Silicon Diffused Type Rectifier

제조업체

Toshiba Semiconductor

로고

1R5JH45 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.

전체 3 페이지

미리보기를 사용할 수 없습니다

TOSHIBA FAST RECOVERY RECTIFIER SILICON DIFFUSED TYPE

1R5JH45

SWITCHING MODE POWER SUPPLY APPLICATIONS

Unit: mm

l Repetitive Peak Reverse Voltage

l Average Forward Current

l Very Fast Reverse−Recovery Time

: VRRM = 600V

: IF (AV) = 1.5A

: trr = 200ns (MAX.)

MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

CHARACTERISTIC

Repetitive Peak Reverse Voltage

Average Forward Current

(Ta = 25°C)

Peak One Cycle Surge Forward

Current (Non−Repetitive)

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

SYMBOL

VRRM

IF (AV)

IFSM

Tstg

RATING

600

1.5

50 (50Hz)

55 (60Hz)

−40~150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)

UNIT

°C

JEDEC

JEITA

TOSHIBA

Weight: 0.47g

―

3−4B1A

CHARACTERISTIC

Peak Forward Voltage

Repetitive Peak Reverse

Current

Reverse Recovery Time

Forward Recovery Time

Thermal Resistance

SYMBOL

TEST CONDITION

VFM

IFM = 1.5A

IRRM

VRRM = 600V

trr

tfr

Rth (j−a)

IF = 1A, di / dt = −30A / µs

IF = 1.0A

Junction to Ambient

MIN TYP. MAX UNIT

― ― 1.2 V

― ― 100 µA

― ― 200 ns

― ― 500 ns

― ― 58 °C / W

Marking

1 2001-07-09

구 성

총 3 페이지

다운로드

[ 1R5JH45.PDF 데이터시트 ]

Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 1R5JH45은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.

1R5JH45의 기능 및 특징 중 하나는 "Silicon Diffused Type Rectifier" 입니다.

일반적으로, Toshiba Semiconductor에서 제조되는 전자부품들은 우수한 성능과
품질에 대한 신뢰성을 갖추고 있습니다.

구매 문의

일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ]

PDF 형식의 1R5JH45 데이터시트 제공 ( 특징, 기능 )

관련 데이터시트

부품번호	상세설명 및 기능	제조사
1R5JH45	Silicon Diffused Type Rectifier	Toshiba Semiconductor
1R5JH45	FAST RECOVERY RECTIFIER DIODE	EIC